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J-GLOBAL ID：200903098069529939

抵抗スイッチングNiO層を含むメモリ素子の製造方法、およびそのデバイス

Inventor： ロレーヌ・クールタード ,  フディット・リソニ・レイエス ,  リュドヴィク・グゥ ,  クリスティアン・トゥルカ ,  クリストフ・ミュラー ,  ディルク・ウーテルス
Applicant, Patent owner： アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ ,  ウニヴェルシテ・ドゥ・シュド・トゥーロン-ヴァール
Agent (3)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  中野 晴夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008286836
Publication number (International publication number)：2009164580
Application date： Nov. 07, 2008
Publication date： Jul. 23, 2009
Summary：

【課題】データを蓄積するために使用される、可逆的な抵抗スイッチング層を含む不揮発性メモリデバイスにおいてON状態のデータ保持を良好とする製造方法。【解決手段】抵抗スイッチング不揮発性メモリ素子であって、上部電極と下部電極とに挟まれた抵抗スイッチング金属酸化物層を含み、金属酸化物層は、厚み方向に傾斜した酸素を有するメモリ素子である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

抵抗スイッチング不揮発性メモリ素子であって、 上部電極と下部電極とに挟まれた抵抗スイッチング金属酸化物層を含み、 金属酸化物層は、厚み方向に傾斜した酸素を有するメモリ素子。

IPC (3)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (3)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

F-Term (15)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA10 ,  5F083HA02 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083PR12 ,  5F083PR14 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083ZA20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 可変抵抗素子及びその製造方法、並びにその駆動方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-070322   Applicant：シャープ株式会社
• 記憶素子及び記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-182775   Applicant：ソニー株式会社
• 段階的な抵抗値を有する多層構造を利用したメモリ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-130645   Applicant：三星電子株式会社
• 可変抵抗素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-125766   Applicant：シャープ株式会社