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J-GLOBAL ID：200903034399603355

可変抵抗素子及びその製造方法、並びにその駆動方法

Inventor：
大西 哲也

About 大西 哲也

, 
細井 康成

About 細井 康成


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 政木 良文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007070322
Publication number (International publication number)：2008235427
Application date： Mar. 19, 2007
Publication date： Oct. 02, 2008
Summary：
【課題】 LSIプロセス整合性が良く、更にフィラメントパスを形成しなくても抵抗スイッチング動作が可能で、かつ安定な抵抗値、保持特性を示す可変抵抗素子を提供する。【解決手段】 第1電極2と第2電極3の間に可変抵抗体4が狭持され、第1電極2と第2電極3の間に電圧パルスが印加されることで両電極間の電気抵抗が変化する可変抵抗素子であって、可変抵抗体4が、遷移金属酸化物又は遷移金属酸窒化物で構成されており、第1電極2と接触する第1接触面から、第2電極3と接触する第2接触面に向けて、含有されている酸素濃度が低下する遷移金属酸化物又は遷移金属酸窒化物で構成されている。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第1電極と第2電極の間に可変抵抗体が狭持され、前記第1電極と前記第2電極の間に電圧パルスが印加されることで両電極間の電気抵抗が変化する可変抵抗素子であって、 前記可変抵抗体が、 遷移金属酸化物又は遷移金属酸窒化物で構成されており、前記第1電極と接触する第1接触面から、前記第2電極と接触する第2接触面に向けて、含有されている酸素濃度が低下する遷移金属酸化物又は遷移金属酸窒化物で構成されていることを特徴とする可変抵抗素子。
IPC (5)：
H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04
FI (4)：
H01L27/10 451 ,  H01L45/00 C ,  H01L49/00 Z ,  H01L27/04 V
F-Term (21)：
5F038AR07 ,  5F038AR14 ,  5F038AR16 ,  5F038AV01 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ20 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083PR12 ,  5F083PR22 ,  5F083PR40
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (5)
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