大規模FETアレイを用いた分析物測定のための方法および装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：葛和清司
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009541416
Publication number (International publication number)：2010513869
Application date： Dec. 14, 2007
Publication date： Apr. 30, 2010
Summary：

分析物測定のための大規模FETに関する方法および装置。ChemFET(例えば、ISFET)アレイは、改良されたFETピクセル、ならびに測定感度および精度を向上させ、同時に顕著に小さいピクセルサイズおよび高密度アレイを容易にするアレイ設計に基づいた従来のCMOSプロセス技術により製造することができる。このようなアレイは、多様な化学的および/または生物学的プロセスにおいて、様々な種類の分析物の存在および/または濃度変化を検出するために用いることができる。1つの例において、chemFETアレイは、水素イオン濃度(pH)の変化、他の分析物濃度の変化および/またはDNA合成に関する化学的プロセスに関連した結合事象をモニターすることに基づいたDNAシークエンシング技術を促進する。

Claim (excerpt)：

装置であって、CMOSセンサ(105)のアレイ(100)を含み、各センサが、化学感応性電界効果トランジスタ(chemFET)(150)を含み、かつアレイ表面上の約10マイクロメーター×10マイクロメーター以下の面積を占める、前記装置。

IPC (3)：

G01N 27/414 , G01N 37/00 , C12M 1/00

FI (7)：

G01N27/30 301U , G01N27/30 301P , G01N27/30 301X , G01N27/30 301Y , G01N27/30 301W , G01N37/00 102 , C12M1/00 A

F-Term (6)：

4B024AA11 , 4B024AA20 , 4B024CA01 , 4B024HA11 , 4B029AA07 , 4B029FA15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

検出装置および検出方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2003-571724 Applicant：トマゾウ,クリストファー, プルショサマン,スニル
遺伝子検出電界効果デバイスおよびこれを用いた遺伝子多型解析方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-026821 Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構
生体および化学試料検査装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-012596 Applicant：株式会社日立製作所

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