Pat
J-GLOBAL ID：201003038959215069
光半導体素子及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (4)：
平木 祐輔
, 関谷 三男
, 渡辺 敏章
, 今村 健一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009046434
Publication number (International publication number)：2010205767
Application date： Feb. 27, 2009
Publication date： Sep. 16, 2010
Summary：
【課題】III族窒化物半導体を用いた紫外発光素子における発光効率を高める【解決手段】AlxGa1-xNの電子ブロック層(厚さ20nm)のx値が大きいほど(a〜c)、260nm帯でのPL強度が大きくなり、一方、Alのモル比が0.89(図の符号a)においては、290nm付近にブロードな発光ピーク、すなわちp-AlGaN層21による発光ピークが観測されており、MQWからの電子のオーバーフローが生じていること、Alのモル比が0.97、1.0の場合には、この波長帯でのPL強度はほとんど観測されず、高い電子ブロック層を用いることで、電子のオーバーフローが良好に抑制されていることがわかった。このように、Alのモル比の高い、例えば、Alのモル比として0.95以上のAl(Ga)N電子ブロック層を設けることで、外部量子効率を高めるとともに、発光強度自体も高くすることができ、実用性の高い良好な値を得ることができることがわかる。【選択図】図4
Claim (excerpt)：
AlN系III族窒化物単結晶上に形成する発光素子において、高濃度n型III族窒化物層と、
n型又はi型のIII族窒化物障壁層とn型又はi型のIII族窒化物井戸層とからなる多重量子井戸構造と、
i型のIII族窒化物ファイナルバリア層と、
p型III族窒化物層と、
前記i型III族窒化物ファイナルバリア層と前記p型III族窒化物層との間に形成され、前記i型III族窒化物ファイナルバリア層に対して電子のエネルギー障壁となるp型又はi型のAlzGa1-zN層(0.95<z<=1)からなる電子ブロック層と
を有することを特徴とする発光素子。
IPC (3)：
H01L 33/06
, H01L 33/32
, H01L 21/205
H01L33/00 112
, H01L33/00 186
, H01L21/205
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA13
, 5F041CA65
, 5F041CB36
, 5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB17
, 5F045AC08
, 5F045AD15
, 5F045AD16
, 5F045AF04
, 5F045AF05
, 5F045AF09
, 5F045CA10
, 5F045DA53
, 5F045DA55
Cited by examiner (2)
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窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-402091
Applicant：日亜化学工業株式会社
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半導体発光素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2007-009373
Applicant：三菱電機株式会社
Article cited by the Patent：
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