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J-GLOBAL ID：200903022140624461

窒化物半導体素子

Inventor：
三好 隆

About 三好 隆

, 
柳本 友弥

About 柳本 友弥


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001402091
Publication number (International publication number)：2003204122
Application date： Dec. 28, 2001
Publication date： Jul. 18, 2003
Summary：
【要約】【課題】 Inを含む窒化物半導体を有する活性層を、p型クラッド層、n型クラッド層とで挟まれた構造を有する窒化物半導体素子、特に波長440nm以上で発光するものにおいて、しきい値電流を低減させる構造とする。【解決手段】 n型クラッド層25、p型クラッド層30と活性層12との間に、Inを含む窒化物半導体からなる第1の窒化物半導体層31、Inを含まない窒化物半導体からなる第2の窒化物半導体層32とをそれぞれ有することで、非対称な導波路構造とすることで、p型層13側にInを含む窒化物半導体を設けることによる結晶性の悪化、Inによる光の損失を第2の窒化物半導体層32を用いることで回避し、第1の窒化物半導体層31により導波路内の屈折率を大きくして、しきい値電流密度を下げる。
Claim (excerpt)：
活性層を、p型層とn側層とで挟みこむ構造を有し、p型層がp側クラッド層を有し、n側層がn側クラッド層を有する窒化物半導体素子において、前記活性層がInを含む窒化物半導体を有し、n側クラッド層と活性層との間にIn混晶比がz>0である窒化物半導体からなる第1の窒化物半導体層を有し、p側クラッド層と活性層との間にIn混晶比uがz>uである第2の窒化物半導体層を有することを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 33/00 C
F-Term (9)：
5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA58 ,  5F073AA45 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AA76 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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