電界効果型トランジスタ及び表示装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：内尾裕一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009222514
Publication number (International publication number)：2010161339
Application date： Sep. 28, 2009
Publication date： Jul. 22, 2010
Summary：

【課題】チャネル層に本発明の特定の積層構成を適用することで、電気的特性に優れ、且つ、組成変動に対する特性変化が小さいTFTを提供する。【解決手段】少なくとも半導体層と前記半導体層に対してゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを具備した電界効果型トランジスタであって、前記半導体層は、ZnまたはInから選択される少なくとも1つの元素を含む第1のアモルファス酸化物半導体層と、GeまたはSiから選択される少なくとも1つの元素と、ZnまたはInから選択される少なくとも1つの元素と、を含む第2のアモルファス酸化物半導体層を含み、前記第1のアモルファス酸化物半導体層と、前記第2のアモルファス酸化物半導体層とは組成が異なることを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

少なくとも半導体層と前記半導体層に対してゲート絶縁層を介して設けられたゲート電極とを具備した電界効果型トランジスタであって、前記半導体層は、ZnまたはInから選択される少なくとも1つの元素を含む第1のアモルファス酸化物半導体層と、GeまたはSiから選択される少なくとも1つの元素と、ZnまたはInから選択される少なくとも1つの元素と、を含む第2のアモルファス酸化物半導体層と、を含むことを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 51/50

FI (4)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618E , H01L29/78 627B , H05B33/14 A

F-Term (61)：

2H092GA29 , 2H092JA25 , 2H092JA26 , 2H092JA28 , 2H092JA40 , 2H092JA44 , 2H092JA46 , 2H092KA05 , 2H092KA07 , 2H092KA08 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092MA04 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092NA22 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC33 , 3K107CC45 , 3K107DD90 , 3K107DD95 , 3K107EE04 , 3K107FF14 , 3K107HH05 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110BB20 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF23 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110NN72 , 5F110QQ09 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-325366 Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
半導体薄膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-258275 Applicant：キヤノン株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

Zn-In-O系薄膜を用いた電界効果トランジスタとその組成依存性
In-X-0(X=B,Mg,Al,Si,Ti,Ga,Ge,Mo,Sn)をチャネル層に用いたTFrとそ

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