半導体装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：中島淳 , 加藤和詳 , 福田浩志 , 宮本治彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010206362
Publication number (International publication number)：2010283388
Application date： Sep. 15, 2010
Publication date： Dec. 16, 2010
Summary：

【課題】異なるガスを交互に流して成膜する縦型半導体製造装置を使用して、炉容積が大きくても、スループットが向上できるようにする。【解決手段】反応炉20、真空ポンプ26に接続された排気配管40、成膜に寄与する第1のガスを供給する第1供給配管41、第2のガスを供給する第2供給配管38、第1、第2供給配管の供給及び排気配管40の排気を制御するバルブ22〜25、第1供給配管41に設けられたガス溜り21、制御手段29を備える縦型半導体製造装置を使用して、制御手段によって、バルブ22〜25を制御して、第1のガスを第1供給配管41に流してガス溜り21に溜め、炉20の排気を止めた状態でガス溜り21に溜めた第1のガスを炉20に供給することにより、炉20を昇圧状態として基板Wを第1のガスに晒す。ポンプ26で炉20を排気しつつ第2のガスを第2供給配管38を介して炉20に供給することにより、基板を第2のガスに晒す。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板を収容した反応室にプロセスガスを供給する工程と、前記反応室内の雰囲気を排気する排気工程と、を有し、前記反応室に前記プロセスガスを供給する際は、前記反応室内の排気を実質的に止めた状態で前記プロセスガスを前記反応室に供給する半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 , C23C 16/455

FI (2)：

H01L21/205 , C23C16/455

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

化学的気相成長法及び化学的気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-236247 Applicant：日産自動車株式会社
薄膜製造方法及び薄膜製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-032620 Applicant：株式会社デンソー
原子層蒸着を用いた薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-254777 Applicant：三星電子株式会社

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Cited by examiner (2)

化学的気相成長法及び化学的気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-236247 Applicant：日産自動車株式会社
薄膜製造方法及び薄膜製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-032620 Applicant：株式会社デンソー

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