原子層蒸着を用いた薄膜形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：八田幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001254777
Publication number (International publication number)：2002367992
Application date： Aug. 24, 2001
Publication date： Dec. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】原子層蒸着(ALD)を利用して薄膜形成方法を提供する。【解決手段】単一反応空間12を有するALD反応器10を用意する。一束ねの基板14を単一反応空間12を有するALD反応器10内部へ同時にローディングさせる。そして、反応物質を含むガスを単一反応空間12内部に導入させることにより、反応物質の一部が単一反応空間12内部にある一束ねの基板14の各基板15の最上部表面上に化学的に吸着する。化学的に吸着しない反応物質は単一反応空間12から除去される。本発明の実施形態によると、反応物質を含むガスを導入した後に、化学的に吸着しない反応物質は単一反応空間12内で希釈させることにより、その除去を促進させる。

Claim (excerpt)：

単一反応空間を有する反応器を用意する段階と、前記反応器の単一反応空間内部へ一束ねの基板を同時にローディングさせる段階と、前記単一反応空間内部に反応物質を含むガスを導入し、前記単一反応空間内部にある前記基板の表面上に、前記反応物質の一部を化学的に吸着させる段階と、化学的に吸着しない反応物質を前記単一反応空間から除去させる段階と、を含むことを特徴とする原子層蒸着を利用した薄膜形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/318 , C23C 16/44 , H01L 21/316

FI (3)：

H01L 21/318 B , C23C 16/44 A , H01L 21/316 X

F-Term (20)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA18 , 4K030BA01 , 4K030BA40 , 4K030BA42 , 4K030BA43 , 4K030BA44 , 4K030BA46 , 4K030BA48 , 4K030CA04 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030JA09 , 4K030LA15 , 5F058BC03 , 5F058BC08 , 5F058BC09 , 5F058BF11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (15)

特開昭60-116136
基質上へのフィルムの蒸着法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-513963 Applicant：エイエスエム・インターナシヨナル・エヌ・ブイ
原子層蒸着方法で形成したアルミナ/アルミニウムナイトライド複合誘電体膜を持つキャパシタとその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-363259 Applicant：三星電子株式会社

Show all

Cited by examiner (18)

成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-361899 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝
特開昭60-116136
基質上へのフィルムの蒸着法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-513963 Applicant：エイエスエム・インターナシヨナル・エヌ・ブイ

Show all

Return to Previous Page