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J-GLOBAL ID：201003042454870132

半導体ナノ粒子の製造方法、および半導体ナノ粒子

Inventor： 桑畑 進 ,  鳥本 司 ,  足立 知弘
Applicant, Patent owner： 国立大学法人大阪大学
Agent (1)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008193539
Publication number (International publication number)：2010031115
Application date： Jul. 28, 2008
Publication date： Feb. 12, 2010
Summary：

【課題】低毒性であり、且つより高い発光量子収率を有する半導体ナノ粒子の製造方法、並びに当該製造方法により得られる半導体ナノ粒子を実現する。【解決手段】本発明の半導体ナノ粒子の製造方法は、亜鉛と周期表第11族元素と周期表第13族元素とを含む硫化物もしくは酸化物、又は周期表第11族元素と周期表第13族元素とを含む硫化物もしくは酸化物を、主成分とする第1化合物を合成する粒子合成工程と、粒子合成工程後に上記第1化合物を精製する精製工程と、精製した上記第1化合物を加熱する加熱処理工程と、を含む。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

亜鉛と周期表第11族元素と周期表第13族元素とを含む硫化物もしくは酸化物、又は周期表第11族元素と周期表第13族元素とを含む硫化物もしくは酸化物を、主成分とする第1化合物を合成する粒子合成工程と、 上記第1化合物を精製する精製工程と、 精製した上記第1化合物を加熱する加熱処理工程と、 を含むことを特徴とする、室温で発光する半導体ナノ粒子の製造方法。

IPC (3)：

C09K 11/62 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/64

FI (3)：

C09K11/62 ,  C09K11/08 A ,  C09K11/64

F-Term (6)：

4H001CA02 ,  4H001CF01 ,  4H001XA16 ,  4H001XA30 ,  4H001XA47 ,  4H001XA49

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 国際公開第2007/026746号(2007年3月8日公開)
  
• 蛍光体、及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-304592   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• 半導体蛍光体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-370937   Applicant：京セラ株式会社