Pat
J-GLOBAL ID：201003044522000292

半導体装置、半導体装置製造方法、TFT基板、および表示装置

Inventor：
栗田 大佑

About 栗田 大佑

, 
塩見 竹史

About 塩見 竹史


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 特許業務法人あーく特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009053685
Publication number (International publication number)：2010212284
Application date： Mar. 06, 2009
Publication date： Sep. 24, 2010
Summary：
【課題】オン電流を増加させて駆動能力を大きくした半導体装置(ダブルゲート型薄膜トランジスタ)、この半導体装置を製造する半導体装置製造方法、この半導体装置を搭載したTFT基板、およびこのTFT基板を適用した表示装置を提供する。【解決手段】半導体装置1は、絶縁性基板10(絶縁性基板110)の上に形成された第1ゲート電極11と、第1ゲート電極11の上に形成された第1絶縁層12と、第1絶縁層12の上に形成された半導体層13と、半導体層13の一端に接続されたソース電極15と、ソース電極15に対向して半導体層13の他端に接続されたドレイン電極16と、半導体層13の上に形成された第2絶縁層17と、第2絶縁層17の上に形成された第2ゲート電極19とを備え、第1ゲート電極11および第2ゲート電極19の少なくとも一方は、透明導電性材料で形成され、透明電極を構成している。【選択図】図1A
Claim (excerpt)：
絶縁性基板の上に形成された第1ゲート電極と、該第1ゲート電極の上に形成された第1絶縁層と、該第1絶縁層の上に形成された半導体層と、該半導体層の一端に接続されたソース電極と、該ソース電極に対向して前記半導体層の他端に接続されたドレイン電極と、前記半導体層の上に形成された第2絶縁層と、該第2絶縁層の上に形成された第2ゲート電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の前記半導体層に形成されるチャネル領域とを備える半導体装置であって、 前記第1ゲート電極および前記第2ゲート電極の少なくとも一方は、透明導電性材料で形成されていること を特徴とする半導体装置。
IPC (6)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  G02F 1/136
FI (10)：
H01L29/78 617M ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/78 618D ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 612B ,  H01L29/78 612C ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  G02F1/1368
F-Term (119)：
2H092GA59 ,  2H092JA24 ,  2H092JA38 ,  2H092JA46 ,  2H092JB58 ,  2H092KA04 ,  2H092KB05 ,  2H092KB14 ,  2H092KB22 ,  2H092MA07 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092NA24 ,  2H092NA27 ,  4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD05 ,  4M104DD07 ,  4M104DD19 ,  4M104DD20 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD63 ,  4M104FF01 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F110AA07 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE11 ,  5F110EE15 ,  5F110EE30 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF25 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF31 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG46 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HK36 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL09 ,  5F110HL12 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM