Pat
J-GLOBAL ID:200903044552584131
表示装置とその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
家入 健
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006338924
Publication number (International publication number):2008153387
Application date: Dec. 15, 2006
Publication date: Jul. 03, 2008
Summary:
【課題】ゲート絶縁膜と多結晶半導体膜のチャネル領域との界面の欠陥密度を低減させると供に、ゲート絶縁膜の耐圧を向上させて高性能なTFT特性を有する表示装置及び表示装置の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明にかかる表示装置は、基板上に形成されたソース領域14a及びドレイン領域14b並びにチャネル領域14cを有する多結晶半導体膜14と、多結晶半導体膜14上のチャネル領域14c以外に形成された金属膜15と、多結晶半導体膜14上のチャネル領域14cの表面及びテーパ部に形成された第1のゲート絶縁膜16と、第1のゲート絶縁膜16及び金属膜15上に形成された第2のゲート絶縁膜17と、第2のゲート絶縁膜17上に多結晶半導体膜14のチャネル領域14cと対向する位置に形成されたゲート電極19とを有する。【選択図】図5
Claim (excerpt):
基板上に形成されたソース領域及びドレイン領域並びにチャネル領域を有する多結晶半導体膜と、
前記多結晶半導体膜上の前記チャネル領域以外に形成された金属膜と、
前記多結晶半導体膜上の前記チャネル領域の表面及びテーパ部に形成された第1のゲート絶縁膜と、
前記第1のゲート絶縁膜及び前記金属膜上に形成された第2のゲート絶縁膜と、
前記第2のゲート絶縁膜上に前記多結晶半導体膜の前記チャネル領域と対向する位置に形成されたゲート電極とを有する表示装置。
IPC (3):
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G09F 9/30
FI (3):
H01L29/78 617U
, H01L29/78 617V
, G09F9/30 338
F-Term (50):
5C094AA03
, 5C094AA21
, 5C094AA42
, 5C094BA03
, 5C094DA13
, 5C094DA15
, 5C094EA04
, 5C094EA05
, 5C094GB10
, 5F110AA12
, 5F110AA30
, 5F110BB01
, 5F110BB04
, 5F110CC02
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110EE04
, 5F110EE44
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF09
, 5F110FF25
, 5F110FF29
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG22
, 5F110GG25
, 5F110GG39
, 5F110GG44
, 5F110HJ01
, 5F110HJ12
, 5F110HJ23
, 5F110HK04
, 5F110HK33
, 5F110HL03
, 5F110HL04
, 5F110HL11
, 5F110NN01
, 5F110NN02
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN72
, 5F110NN73
, 5F110PP03
, 5F110PP06
, 5F110PP10
, 5F110PP35
, 5F110QQ11
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
-
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-082949
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
成膜方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および常圧CVD装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-124570
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
半導体装置、電気光学装置およびそれらの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-361555
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
薄膜トランジスタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-094665
Applicant:株式会社液晶先端技術開発センター
-
薄膜トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-024589
Applicant:松下電器産業株式会社
-
薄膜トランジスタ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-141541
Applicant:株式会社東芝
-
薄膜電界効果トランジスタ及びその製造方法並びに高耐圧薄膜電界効果トランジスタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-229678
Applicant:富士ゼロツクス株式会社
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