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J-GLOBAL ID：201003044762464890

薄膜磁気センサ

Inventor：
小山 恵史

About 小山 恵史


Applicant, Patent owner：
大同特殊鋼株式会社

About 大同特殊鋼株式会社


Agent (2)： 畠山 文夫 ,  小林 かおる
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008271372
Publication number (International publication number)：2010101658
Application date： Oct. 21, 2008
Publication date： May. 06, 2010
Summary：
【課題】100〜200°C程度又はそれ以上の温度に加熱されても、ゼロ磁場近傍の微少磁界を検出することが可能な薄膜磁気センサを提供すること。【解決手段】巨大磁気抵抗効果を有するGMR膜と、前記GMR膜の両端に電気的に接続された軟磁性材料を含む薄膜ヨークとを備え、前記薄膜ヨークは、少なくとも2層以上の前記軟磁性材料からなる軟磁性層と、前記軟磁性層の間に形成された非磁性材料からなる非磁性層とを含む多層膜からなる薄膜磁気センサ。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
巨大磁気抵抗効果を有するGMR膜と、 前記GMR膜の両端に電気的に接続された軟磁性材料を含む薄膜ヨークとを備え、 前記薄膜ヨークは、少なくとも2層以上の前記軟磁性材料からなる軟磁性層と、前記軟磁性層の間に形成された非磁性材料からなる非磁性層とを含む多層膜からなる 薄膜磁気センサ。
IPC (1)：
G01R 33/09
FI (1)：
G01R33/06 R
F-Term (5)：
2G017AC07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD62 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 薄膜磁界センサ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-279308   Applicant：財団法人電気磁気材料研究所
  • 薄膜磁気抵抗素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-111301   Applicant：財団法人電気磁気材料研究所
  • 磁界センサ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-316084   Applicant：財団法人電気磁気材料研究所
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