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J-GLOBAL ID：201003045697587357

多孔質層を有する積層体、及びそれを用いた機能性積層体

Inventor：
大和 洋

About 大和 洋


Applicant, Patent owner：
ダイセル化学工業株式会社

About ダイセル化学工業株式会社


Agent (1)： 岡田 正広
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009138109
Publication number (International publication number)：2010018026
Application date： Jun. 09, 2009
Publication date： Jan. 28, 2010
Summary：
【課題】基材上に高分子を主体とする多孔質層を有する積層体及びその製造方法、前記多孔質層を有する積層体を用いて、光透過性基材上に導電性材料等の機能性材料のパターンが形成された機能性積層体及びその製造方法を提供する。【解決手段】基材と、前記基材の少なくとも片面上の多孔質層とを含む積層体であって、前記多孔質層は、高分子を主成分として含む組成物から構成され、前記多孔質層における微小孔の平均孔径が0.01〜10μmであり、空孔率が30〜85%であり、前記多孔質層を構成する組成物は20°C以上のガラス転移温度を有し、前記多孔質層は、加熱処理により微小孔が消失し、透明層に変換され得るものである積層体。前記積層体の前記多孔質層の表面上に導電体層パターンを形成し、加熱処理に付し、前記多孔質層中の微小孔を消失させ、前記多孔質層を透明層に変換する。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
基材と、前記基材の少なくとも片面上の多孔質層とを含む積層体であって、 前記多孔質層は、高分子を主成分として含む組成物から構成され、 前記多孔質層における微小孔の平均孔径が0.01〜10μmであり、空孔率が30〜85%であり、 前記多孔質層を構成する組成物は20°C以上のガラス転移温度を有し、前記多孔質層は、加熱処理により微小孔が消失し、透明層に変換され得るものである積層体。
IPC (3)：
B32B 5/18 ,  H05K 9/00 ,  C08J 9/28
FI (4)：
B32B5/18 101 ,  H05K9/00 V ,  C08J9/28 101 ,  C08J9/28
F-Term (47)：
4F074AA45 ,  4F074CB34 ,  4F074CB43 ,  4F074DA02 ,  4F074DA03 ,  4F074DA47 ,  4F074DA54 ,  4F100AD00B ,  4F100AG00B ,  4F100AK00C ,  4F100AK01A ,  4F100AK23 ,  4F100AK42 ,  4F100AT00A ,  4F100AT00B ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100BA25 ,  4F100CA02B ,  4F100CA04B ,  4F100DJ00B ,  4F100EJ42 ,  4F100GB43 ,  4F100GB48 ,  4F100JA05B ,  4F100JG01C ,  4F100JG03C ,  4F100JG04C ,  4F100JG05C ,  4F100JL11 ,  4F100JN01B ,  4F100YY00B ,  5E321AA04 ,  5E321AA17 ,  5E321AA43 ,  5E321AA46 ,  5E321BB23 ,  5E321BB32 ,  5E321BB41 ,  5E321BB44 ,  5E321CC16 ,  5E321GG05 ,  5E321GG11 ,  5E321GH01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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