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J-GLOBAL ID：201003049373308663

誘電体構造体、誘電体構造体の製造方法、圧着転写方法、及び保持構造

Inventor：
一木 正聡

About 一木 正聡

, 
前田 龍太郎

About 前田 龍太郎

, 
伊藤 寿浩

About 伊藤 寿浩


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Agent (3)： 森 哲也 ,  内藤 嘉昭 ,  田中 秀▲てつ▼
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009096943
Publication number (International publication number)：2010251403
Application date： Apr. 13, 2009
Publication date： Nov. 04, 2010
Summary：
【課題】誘電体膜を形成する耐熱性基板上の下地電極にあらかじめ剥離性の高い積層構造を導入しておいて転写することにより、低コストで高誘電率を有する誘電体構造体、及び、その誘電体構造の製造方法、圧着転写方法、保持構造を提供すること。【解決手段】非耐熱性基板60上に下部電極61bを形成する工程と、耐熱性基板66上に上部電極64bを形成する工程と、上部電極64b上に誘電体63bを形成する工程と、誘電体63bと、下部電極61bとを、導電性接着部62bを介して、向き合わせて圧着する工程と、誘電体63bと、下部電極61bとを、導電性接着部62bを介して、向き合わせて圧着した後、上部電極64bを耐熱性基板66から剥離する工程と、を含むことを特徴とする。【選択図】図11
Claim (excerpt)：
第1の基板上に第1の電極を形成する工程と、 第2の基板上に第2の電極を形成する工程と、 前記第2の電極上に誘電体を形成する工程と、 前記誘電体と、前記第1の電極とを向き合わせて、導電性接着部を介して圧着する工程と、 前記誘電体と、前記第1の電極とを圧着した後、前記第2の電極を前記第2の基板から剥離する工程と、 を含むことを特徴とする誘電体構造体の製造方法。
IPC (5)：
H01L 41/22 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/18 ,  B81C 1/00
FI (8)：
H01L41/22 Z ,  H01L41/08 C ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101E ,  H01L41/18 101F ,  H01L41/18 101Z ,  B81C1/00
F-Term (8)：
3C081AA18 ,  3C081BA43 ,  3C081CA14 ,  3C081CA26 ,  3C081CA28 ,  3C081CA32 ,  3C081DA27 ,  3C081DA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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