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J-GLOBAL ID：200903044763941275

薄膜バルク音響共振器及びその製造方法

Inventor： 鶴見 直大 ,  夘野 高史 ,  八幡 和宏
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005244649
Publication number (International publication number)：2007060413
Application date： Aug. 25, 2005
Publication date： Mar. 08, 2007
Summary：

【課題】振動子の支持構造に起因するスプリアスが低減され、高周波数特性に優れた信頼性の高い薄膜バルク音響共振器を提供する。 【解決手段】 圧電層5を下部電極4および上部電極7により挟んで形成された振動子10が、支持基板1上に支持される。振動子の下部電極側と支持基板との間に介在して振動子を支持基板上に支持する支持部9を備え、支持部は、平面形状の中央部が中空であり、それにより、振動子の共振部と支持基板との間に空隙部8が形成され、支持部の空隙部に面する側面が、圧電層の面に対して傾斜している。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

圧電層を下部電極および上部電極により挟んで形成された振動子が、支持基板上に支持された薄膜バルク音響共振器において、 前記振動子の前記下部電極側と前記支持基板との間に介在して前記振動子を前記支持基板上に支持する支持部を備え、前記支持部は、平面形状の中央部が中空であり、それにより、前記振動子の共振部と前記支持基板との間に空隙部が形成され、 前記支持部の前記空隙部に面する側面が、前記圧電層の面に対して傾斜していることを特徴とする薄膜バルク音響共振器。

IPC (6)：

H03H 9/17 ,  H03H 3/02 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22

FI (6)：

H03H9/17 F ,  H03H3/02 B ,  H01L41/08 C ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 Z

F-Term (8)：

5J108AA01 ,  5J108AA07 ,  5J108BB08 ,  5J108CC11 ,  5J108EE04 ,  5J108KK02 ,  5J108MM11 ,  5J108MM14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• テ-パ-付き電極及び電極縁部減衰材料を用いた半導体バルク音響共振器(SBAR)装置の横モ-ド抑制
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-180160   Applicant：ティーアールダブリュー・インコーポレーテッド

Cited by examiner (4)

• 圧電膜型アクチュエータおよび液体噴射ヘッドとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-319381   Applicant：キヤノン株式会社, 香川豊
• 電子部品の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-344041   Applicant：株式会社村田製作所
• 電子デバイス作製用構造体及びこれを用いた電子デバイスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-003586   Applicant：TDK株式会社
• 支持台を有する薄膜バルク音響共振器およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-160537   Applicant：三星電子株式会社