誘電体構造体、誘電体構造の製造方法、圧着転写方法、及び保持構造

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007325298
Publication number (International publication number)：2009147238
Application date： Dec. 17, 2007
Publication date： Jul. 02, 2009
Summary：

【課題】誘電体膜を形成する耐熱性基板上の下地電極にあらかじめ剥離性の高い積層構造を導入しておいて転写することにより、低コストで高誘電率を有し、しかも所要の場所に無駄なく形成することのできる誘電体構造体及びその製造方法を提供すること。【解決手段】耐熱性基板51上に形成された絶縁膜52上に第2の電極53及び誘電体54の順に形成する工程と、非耐熱性基板55上に第1の電極56を形成する工程と、非耐熱性基板55上に形成された第1の電極56上に、耐熱性基板51上に第2の電極53及び誘電体54の順に形成された誘電体側を圧着する工程と、耐熱性基板51上に形成された絶縁膜52と前記第2の電極53間を剥離して、非耐熱性基板55上に第1の電極56、誘電体54、及び第2の電極53の順に形成された誘電体構造体を取得する工程とからなることを特徴とする誘電体構造体の製造方法である。【選択図】図9

Claim (excerpt)：

非耐熱性基板上に形成された第1の電極上に、耐熱性基板上の絶縁膜上に第2の電極及び誘電体の順に形成された構造体の前記誘電体側を圧着後、前記絶縁膜と前記第2の電極間を剥離して、非耐熱性基板上に、第1の電極、誘電体、第2の電極の順に形成されたことを特徴とする誘電体構造体。

IPC (6)：

H01L 41/22 , H01L 41/09 , H01L 41/18 , B81B 3/00 , H01G 4/12 , H01L 21/316

FI (6)：

H01L41/22 Z , H01L41/08 C , H01L41/18 101Z , B81B3/00 , H01G4/12 313 , H01L21/316 Z

F-Term (12)：

3C081BA43 , 3C081BA48 , 3C081BA55 , 3C081CA31 , 3C081EA41 , 5E001AB01 , 5E001AB06 , 5E001AH04 , 5E001AJ01 , 5F058BB05 , 5F058BC03 , 5F058BF46

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

有機・無機酸化物混合体薄膜、それを用いた受動素子内蔵電子基板及び有機・無機酸化物混合体薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-206488 Applicant：株式会社日立製作所
回路基板、受動部品、電子装置、及び回路基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-170475 Applicant：富士通株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
受動部品を埋め込む方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-315952 Applicant：イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー

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Cited by examiner (5)

デバイス製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-115803 Applicant：キヤノン株式会社, 香川豊
薄膜圧電共振器及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-108049 Applicant：株式会社東芝
誘電体構造及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-169506 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

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