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J-GLOBAL ID：201003051848187488

エピタキシャル方法およびこの方法によって成長させられたテンプレート

Inventor： アリーナ, シャンタール ,  ワークホーヴェン, クリスティアーン, ジェイ. ,  バートラム, ジュニア, ロナルド, トーマス ,  リンドウ, エド ,  マハジャン, サブハシュ ,  ダッタ, ランジャン ,  トリヴェディ, ラフル, アジェイ ,  ハン, イルス
Applicant, Patent owner： エス. オー. アイ. テック シリコン オン インシュレーター テクノロジーズ ,  アリゾナ ボード オブ リージェンツ フォー アンド オン ビハーフ オブ アリゾナ ステイト ユニバーシティ
Agent (3)： 山田 行一 ,  野田 雅一 ,  池田 成人
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2010518416
Publication number (International publication number)：2010534612
Application date： Jul. 25, 2008
Publication date： Nov. 11, 2010
Summary：

本発明は、小さい欠陥密度を有しかつ選択された結晶極性をオプションとして有する、III族窒化物半導体材料からなる実質的に連続的な層を製造するための方法を提供する。この方法は、テンプレート構造上に不規則に配置されたIII族窒化物材料からなる複数のピラー/アイランドの上部にエピタキシャル成長の核形成および/または播種することを含む。アイランドの上部は、小さい欠陥密度を有し、また、選択された結晶極性をオプションとして有する。本発明は、また、マスク材料からなる実質的に連続的な層を有するテンプレート構造を含み、ピラー/アイランドの上部は、このマスク材料から突き出る。本発明は、広範囲の元素半導体材料および化合物半導体材料に適用されてもよい。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

半導体材料(層材料)を備える層を製造するための方法であって、 複数のアイランドを備えたテンプレート構造を設けるステップであり、前記アイランドが、実質的に不規則な空間的配置を有し、1つまたはそれ以上の選択された結晶特性を備えた上部を有し、かつ、前記層材料がその上に優先的に核形成および成長する材料(アイランド材料)を備える、前記テンプレート構造を設けるステップと、 前記アイランド上における核形成を優先し、その後に、前記アイランドから横方向へのエピタキシャルラテラル成長(ELO)を優先し、その後に、前記アイランドの前記選択された結晶特性の1つまたはそれ以上を継承する実質的に連続的な最終半導体層を形成するための融合を優先するように選択された条件下において、前記層材料を前記テンプレート構造上において成長させるステップと、 を備える、方法。

IPC (8)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  C30B 29/48 ,  C30B 25/04 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/44 ,  H01L 31/10 ,  H01L 31/04

FI (8)：

C30B29/38 D ,  H01L21/205 ,  C30B29/48 ,  C30B25/04 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 A ,  H01L31/10 A ,  H01L31/04 A

F-Term (46)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BE15 ,  4G077BE31 ,  4G077DB01 ,  4G077EE05 ,  4G077EE07 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TC12 ,  4G077TK11 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BA40 ,  4K030BB01 ,  4K030BB02 ,  4K030BB13 ,  4K030BB14 ,  4K030CA05 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  4K030LA16 ,  5F045AA01 ,  5F045AA04 ,  5F045AA18 ,  5F045AB01 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB26 ,  5F045AF14 ,  5F045BB12 ,  5F045DA67 ,  5F045DB02 ,  5F049MB07 ,  5F049NA13 ,  5F049PA03 ,  5F049SS01 ,  5F151AA08 ,  5F151AA09 ,  5F151CB12 ,  5F151GA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• マスクを通るラテラル成長による窒化ガリウム基板の製造とそれから製作されたデバイス
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2006-530713   Applicant：ルミログ
• ゲルマニウム層を形成する方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-587677   Applicant：ビーティージー・インターナショナル・リミテッド
• 窒化ガリウムのエピタキシャル層の製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-517131   Applicant：サントルナショナールドラルシェルシュシアンティフィク(セーエヌエルエス)
• 気相エピタキシにより低い欠陥密度を有する窒化ガリウム膜を作成するプロセス
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2004-523874   Applicant：リュミログ

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• The effect of the Si/N treatment of a nitridated sapphire surface on the growth mode of GaN in low-p