グラフェン層が成長された基板およびそれを用いた電子・光集積回路装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：ポレール特許業務法人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009242092
Publication number (International publication number)：2010153793
Application date： Oct. 21, 2009
Publication date： Jul. 08, 2010
Summary：

【課題】グラフェン層成膜の大面積化や基板材質の選択自由度の拡大、製造の低コスト化を実現するグラフェン層が成長された基板およびそれを用いた電子・光集積回路装置を提供する。【解決手段】本発明に係るグラフェン層が成長された基板は、単層または複数層からなるグラフェン層が成長された基板であって、前記グラフェン層は前記基板の表面に対して略平行に成長しており、前記グラフェン層に対向する前記基板の最表面には金属酸化物の原子層が存在し、前記グラフェン層の前記基板に隣接する層と前記金属酸化物の原子層との層間距離が0.34 nm以下であることを特徴とする。また、前記金属酸化物の原子層の算術平均表面粗さRaが1 nm以下であることが好ましい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

単層または複数層からなるグラフェン層が成長された基板であって、前記グラフェン層は前記基板の表面に対して平行に成長しており、前記グラフェン層に対向する前記基板の表面には金属酸化物の原子層が存在し、前記グラフェン層の前記基板に隣接する層と前記金属酸化物の原子層との層間距離が0.34 nm以下であることを特徴とするグラフェン層が成長された基板。

IPC (2)：

H01L 21/20 , H01L 29/786

FI (2)：

H01L21/20 , H01L29/78 618B

F-Term (27)：

5F110AA01 , 5F110CC01 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110GG01 , 5F110GG16 , 5F110GG44 , 5F110GG58 , 5F110PP10 , 5F152LL03 , 5F152LL08 , 5F152LL10 , 5F152LN04 , 5F152LN22 , 5F152LN27 , 5F152LN31 , 5F152MM04 , 5F152MM08 , 5F152MM11 , 5F152NN03 , 5F152NN13 , 5F152NN16 , 5F152NP12 , 5F152NP13 , 5F152NP17 , 5F152NQ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

電極材料用の高導電性透明炭素膜
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2010-503421 Applicant：マックスプランク-ゲセルシャフト・ツール・フェーデルング・デル・ヴィッセンシャフテン・エー・ファウ
電子デバイス用基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-072076 Applicant：日本電信電話株式会社
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-058732 Applicant：新技術事業団, 松井丈雄, 菊地理恵, 大木芳正

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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