高品質化合物半導体材料を製造するためのナノ構造適応層及びHVPEを使用する成長法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：大渕美千栄 , 布施行夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009245423
Publication number (International publication number)：2010030896
Application date： Oct. 26, 2009
Publication date： Feb. 12, 2010
Summary：

【課題】品質に優れ、平坦で厚い化合物半導体を成長させるための方法を提供する。【解決手段】HVPEを利用し、ナノ構造層を使用して高品質の平坦かつ厚い化合物半導体(15)を異種基板(10)上に成長させる。半導体材料のナノ構造(12)は、分子線エピタキシャル成長(MBE)、化学気相成長(CVD)、有機金属化学気相成長(MOCVD)又はハイドライド気相エピタキシャル成長(HVPE)によって基板(10)上に成長させることができる。化合物半導体の厚膜(15)又はウェハは、HVPEを使用したエピタキシャル横方向成長によってナノ構造(12)上に成長させることができる。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

単結晶化合物半導体材料を製造するための方法であって、 (a)エピタキシャル成長開始表面を提供するために、化合物半導体ナノカラムを有する基板材料を用意し、 (b)エピタキシャル横方向成長によって化合物半導体材料を前記ナノカラム上に成長させ、 (c)前記基板から成長させた前記化合物半導体材料を分離することを含む方法。

IPC (7)：

C30B 29/38 , H01L 21/205 , H01L 21/203 , C30B 25/18 , C23C 16/01 , C23C 14/04 , C23C 16/04

FI (7)：

C30B29/38 D , H01L21/205 , H01L21/203 M , C30B25/18 , C23C16/01 , C23C14/04 Z , C23C16/04

F-Term (72)：

4G077AA02 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077ED06 , 4G077EF02 , 4G077FJ03 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077TB03 , 4G077TC13 , 4G077TK01 , 4G077TK08 , 4G077TK11 , 4K029AA07 , 4K029AA24 , 4K029BA58 , 4K029BB02 , 4K029BB03 , 4K029BB09 , 4K029BD01 , 4K029DB01 , 4K029FA01 , 4K030AA03 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030AA20 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030BB14 , 4K030CA01 , 4K030CA04 , 4K030CA05 , 4K030CA06 , 4K030DA02 , 4K030FA10 , 4K030GA04 , 4K030GA06 , 4K030HA01 , 4K030LA13 , 4K030LA14 , 5F045AA04 , 5F045AA05 , 5F045AB02 , 5F045AB06 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB22 , 5F045AC03 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AD08 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF10 , 5F045DA53 , 5F045DA61 , 5F045GH08 , 5F045HA14 , 5F045HA18 , 5F103AA04 , 5F103DD30 , 5F103GG05 , 5F103HH03 , 5F103HH04 , 5F103HH05

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

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