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J-GLOBAL ID：201003057526396829

窒化物半導体基板

Inventor：
目黒 健

About 目黒 健


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Agent (7)： 平田 忠雄 ,  角田 賢二 ,  岩永 勇二 ,  中村 恵子 ,  遠藤 和光 ,  野見山 孝 ,  今 智司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008259720
Publication number (International publication number)：2010092975
Application date： Oct. 06, 2008
Publication date： Apr. 22, 2010
Summary：
【課題】電子デバイスの製造工程において位置合わせが容易にできる窒化物半導体基板を提供する。【解決手段】本発明に係る窒化物半導体基板1は、窒化物半導体からなる基板の主面をなす第1の表面10と、基板の第1の表面10側の縁の少なくとも一部がC面取りされて形成された第1のエッジ部12とを備え、第1のエッジ部12の少なくとも一部に、外部からの光を第1の表面10より多く散乱する散乱領域が形成されている。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
窒化物半導体からなる基板の主面をなす第1の表面と、 前記基板の前記第1の表面側の縁の少なくとも一部が面取りされて形成された第1のエッジ部と を備え、 前記第1のエッジ部の少なくとも一部に、外部からの光を前記第1の表面より多く散乱する散乱領域が形成されている窒化物半導体基板。
IPC (1)：
H01L 21/02
FI (2)：
H01L21/02 B ,  H01L21/02 A
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (2)
  • 窒化ガリウムウエハ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-166904   Applicant：住友電気工業株式会社
  • III族窒化物半導体基板
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-325162   Applicant：日立電線株式会社

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