エッジ研磨した窒化物半導体基板とエッジ研磨したGaN自立基板及び窒化物半導体基板のエッジ加工方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：川瀬茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003275935
Publication number (International publication number)：2004319951
Application date： Jul. 17, 2003
Publication date： Nov. 11, 2004
Summary：

【課題】ウエハのカケ、割れ、クラックの発生を防止し、パーティクル付着、ごみ汚染が起こらないようにする。【解決手段】円形自立GaNウエハ2のエッジ部6の面粗度をRa10nm〜Ra5μmとする。砥石テープ4を用いてウエハの側周を弱くて均一な押圧力で抑えながらウエハを回転させ砥石テープを変えて加工する。砥石テープは不断に変わるので粒子の細かいものを使っても目詰まりということはない。細かい粒子の砥石テープによってウエハエッジ部を優れた平滑度に仕上げることができる。また、GaNだけでなく他の窒化物半導体基板にもこの手段は適用できる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

エッジ部の面粗度がRa10nm〜Ra5μmであることを特徴とするエッジ研磨した窒化物半導体基板。

IPC (2)：

H01L21/304 , B24B9/00

FI (3)：

H01L21/304 621E , H01L21/304 622W , B24B9/00 601H

F-Term (3)：

3C049AA02 , 3C049CA01 , 3C049CB01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

ウェーハのベベリング加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-335466 Applicant：株式会社東芝
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-105761 Applicant：日立造船株式会社
窒化ガリウムウエハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-166904 Applicant：住友電気工業株式会社

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特開平3-001535
特開平3-280537
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-135422 Applicant：信越半導体株式会社, 直江津電子工業株式会社

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