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J-GLOBAL ID:201003059877169368

薄膜トランジスタおよびアクティブマトリクス基板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 特許業務法人原謙三国際特許事務所
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008304729
Publication number (International publication number):2010129881
Application date: Nov. 28, 2008
Publication date: Jun. 10, 2010
Summary:
【課題】オン電流を維持したままオフ電流を下げることができ、かつ、安価で優れた表示品位を得ることができるTFTを提供する。【解決手段】本発明のTFT11は、絶縁基板1上に、ゲート電極12、ゲート絶縁層13、半導体層14が、絶縁基板1側からこの順に積層されたボトムゲート型のTFTである。半導体層14は微結晶シリコンを含み、TFT11を絶縁基板1の法線方向から視たときに、ゲート電極12を挟んで対向するソース電極16およびドレイン電極17におけるゲート電極12側の各端面16a・17aとゲート電極12の端面12a・12bとがそれぞれ面一である。【選択図】図1
Claim (excerpt):
絶縁基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層が、上記絶縁基板側からこの順に積層されたボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、 上記半導体層は、微結晶シリコンを含み、 当該薄膜トランジスタを上記絶縁基板の法線方向から視たときに、上記ゲート電極を挟んで対向するソース電極およびドレイン電極における上記ゲート電極側の各端面と、上記ゲート電極の端面とがそれぞれ面一であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3):
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G02F 1/136
FI (6):
H01L29/78 616N ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 612Z ,  H01L29/78 618Z ,  G02F1/1368
F-Term (68):
2H092JA23 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB57 ,  2H092MA08 ,  2H092MA14 ,  2H092MA17 ,  2H092NA25 ,  5F110AA06 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB10 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE24 ,  5F110EE25 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG14 ,  5F110GG16 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110HM04 ,  5F110HM05 ,  5F110NN02 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ14
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
  • 薄膜トランジスタ
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平7-159696   Applicant:シャープ株式会社
  • 特開平3-293641号公報(公開日:1991年12月25日)
  • 薄膜トランジスタおよびその製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-291896   Applicant:シャープ株式会社
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