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J-GLOBAL ID：201003060676548024

誘電体基材表面の触媒フリー金属化方法及び金属膜付き誘電体基材

Inventor：
是津 信行

About 是津 信行

, 
山村 和也

About 山村 和也


Applicant, Patent owner：
国立大学法人大阪大学

About 国立大学法人大阪大学


Agent (3)： 柳野 隆生 ,  森岡 則夫 ,  関口 久由
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008335528
Publication number (International publication number)：2010156022
Application date： Dec. 27, 2008
Publication date： Jul. 15, 2010
Summary：
【課題】 大気圧プラズマプロセスとナノレベルの自己組織化との融合により、外部金属種を全く必要としない無公害高効率を実現する誘電体基材表面の触媒フリー金属化方法及び金属膜付き誘電体基材を提供する。【解決手段】 誘電体基材の表面を、希ガスを用いた大気圧プラズマ処理して表面に親水性官能基を導入する工程、錯化高分子及びめっき層と同じ金属種を含む前駆体を液相法により塗布し超薄膜を作製する工程、親水性官能基を反応点として錯化高分子が自発的に共有結合を形成し高密度にグラフト化し、錯化高分子に前駆体が配位結合により連結され、この金属イオンを含む錯化高分子膜を、大気圧プラズマ処理して、金属イオンを原子状金属へ還元する工程、生成した原子状金属が自己組織的に凝集してナノサイズのクラスターを形成した後、無電解めっき浴中に浸漬して金属層を形成する工程とよりなる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
誘電体基材の表面を、希ガスを用いた大気圧プラズマ処理して表面に親水性官能基を導入する工程、 既に重合された一次構造が明確な錯化高分子及び目的とするめっき層と同じ金属種を含む前駆体を液相法により誘電体基材の表面に塗布し超薄膜を作製する工程、 前記親水性官能基を反応点として、錯化高分子が自発的に共有結合を形成し高密度にグラフト化されるとともに、錯化高分子に前駆体が配位結合により連結され、この金属イオンを含む錯化高分子膜を、希ガスを用いた大気圧プラズマ処理して、金属イオンを原子状金属へ還元する工程、 生成した原子状金属が自己組織的に凝集してナノサイズのクラスターを形成した後、無電解めっき浴中に浸漬して、金属ナノクラスターを触媒として金属層を形成する工程、 とよりなる誘電体基材表面の触媒フリー金属化方法。
IPC (1)：
C23C 18/30
FI (1)：
C23C18/30
F-Term (9)：
4K022AA13 ,  4K022AA16 ,  4K022BA08 ,  4K022CA04 ,  4K022CA12 ,  4K022CA19 ,  4K022CA20 ,  4K022CA21 ,  4K022DA01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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