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J-GLOBAL ID：201003063825991792

シリコン含有膜を形成する方法

Inventor：
デュサラ、クリスティアン

About デュサラ、クリスティアン


Applicant, Patent owner：
レール・リキード-ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード

About レール・リキード-ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード


Agent (9)： 蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  砂川 克
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2010525945
Publication number (International publication number)：2010539730
Application date： Sep. 18, 2008
Publication date： Dec. 16, 2010
Summary：
シリコン含有膜を形成する方法であって、基板を反応チャンバーに供給すること、前記反応チャンバー中に少なくとも1つのシリコン含有化合物を注入すること、前記反応チャンバー中に少なくとも1つのガス状共反応物質を注入すること、および前記基板、シリコン含有化合物、およびガス状共反応物質を550°C以下の温度で反応させ、前記基板上に蒸着されたシリコン含有膜を得ることを含む方法。窒化シリコン膜を調製する方法であって、シリコンウェーハを反応チャンバーに導入すること、シリコン含有化合物を前記反応チャンバー中に導入すること、前記反応チャンバーをイナートガスでパージすること、および窒素を含有するガス状共反応物質を、前記シリコンウェーハ上に窒化シリコンの単分子層を形成するために適切な条件下で、前記反応チャンバーに導入することを含む方法。
Claim (excerpt)：
シリコン含有膜を形成する方法であって、 a) 反応チャンバーに基板を供給すること、 b) 前記反応チャンバー中に少なくとも1つのシリコン含有化合物を注入すること、 c) 前記反応チャンバー中に、少なくとも1つのガス状共反応物質を注入すること、 d) 前記基板、シリコン含有化合物、およびガス状共反応物質を550°C以下の温度で反応させ、前記基板上に蒸着されたシリコン含有膜を得ること を含む方法。
IPC (3)：
H01L 21/318 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/316
FI (4)：
H01L21/318 C ,  C23C16/42 ,  H01L21/316 X ,  H01L21/318 B
F-Term (35)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA12 ,  4K030LA15 ,  5F058BA01 ,  5F058BA03 ,  5F058BA04 ,  5F058BA05 ,  5F058BA06 ,  5F058BA07 ,  5F058BA08 ,  5F058BA09 ,  5F058BA10 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BC10 ,  5F058BF02 ,  5F058BF03 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF36 ,  5F058BJ04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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