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J-GLOBAL ID：200903058452162567

成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

Inventor：
周 保華

About 周 保華

, 
長谷部 一秀

About 長谷部 一秀


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006007951
Publication number (International publication number)：2007189173
Application date： Jan. 16, 2006
Publication date： Jul. 26, 2007
Summary：
【課題】比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくできる絶縁膜を形成することができる成膜方法を提供する。【解決手段】被処理体Wが収容されて真空引き可能になされた処理容器4内に、シラン系ガスと窒化ガスと炭化水素ガスとを供給して被処理体の表面にSiCN膜を形成する成膜方法において、シラン系ガスを供給する工程と炭化水素ガスを供給する工程とを少なくとも間欠的に交互に行う1サイクルを複数回繰り返して実行すると共に窒化ガスを供給する工程を適宜に行い、炭化水素ガスの供給工程の全部の期間、或いは一部の期間で炭化水素ガスをプラズマによって活性化するプラズマ活性化処理を行う。これにより、比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくできる。【選択図】図4
Claim (excerpt)：
被処理体が収容されて真空引き可能になされた処理容器内に、シラン系ガスと窒化ガスと炭化水素ガスとを供給して前記被処理体の表面にSiCN膜よりなる薄膜を形成する成膜方法において、 前記シラン系ガスを供給する工程と前記炭化水素ガスを供給する工程とを少なくとも間欠的に交互に行う1サイクルを複数回繰り返して実行すると共に、 前記窒化ガスを供給する工程を適宜に行うようにし、前記炭化水素ガスの供給工程の全部の期間、或いは一部の期間で前記炭化水素ガスをプラズマによって活性化するプラズマ活性化処理を行うことを特徴とする成膜方法。
IPC (3)：
H01L 21/314 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/42
FI (3)：
H01L21/314 A ,  H01L21/31 C ,  C23C16/42
F-Term (49)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA29 ,  4K030BA41 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030EA11 ,  4K030FA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA41 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045BB04 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE19 ,  5F045EH13 ,  5F045EH19 ,  5F045EK06 ,  5F058BC08 ,  5F058BC10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF26 ,  5F058BF30 ,  5F058BF31 ,  5F058BF37 ,  5F058BF38 ,  5F058BG02 ,  5F058BG03 ,  5F058BG04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (6)
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