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J-GLOBAL ID：201003064226637405

コバルトカルボニル錯体組成物及びコバルト膜の形成方法

Inventor：
西村 秀樹

About 西村 秀樹

, 
松木 安生

About 松木 安生


Applicant, Patent owner：
JSR株式会社

About JSR株式会社


Agent (3)： 大島 正孝 ,  勝又 秀夫 ,  白石 泰三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009267296
Publication number (International publication number)：2010150656
Application date： Nov. 25, 2009
Publication date： Jul. 08, 2010
Summary：
【課題】コバルト前駆体の保存安定性に優れ、長期保存後に化学気相成長法に供した場合であっても昇華残存物の少ないコバルト前駆体組成物及びコバルト前駆体の使用効率の高い、化学気相成長法によるコバルト膜の形成方法を提供すること。【解決手段】上記組成物は、コバルトカルボニル錯体及び溶媒を含有する組成物であって、前記溶媒に溶存する一酸化炭素の濃度が0.001〜1重量%であることを特徴とする。上記方法は、上記のコバルトカルボニル錯体組成物に由来するコバルトカルボニル錯体を昇華して基体上に供給し、該基体上で該コバルトカルボニル錯体をコバルトに変換することを特徴とする。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
コバルトカルボニル錯体及び溶媒を含有する組成物であって、 前記溶媒に溶存する一酸化炭素の濃度が0.001〜1重量%であることを特徴とする、コバルトカルボニル錯体組成物。
IPC (6)：
C23C 16/18 ,  C01G 51/02 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52
FI (5)：
C23C16/18 ,  C01G51/02 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 Z ,  H01L21/88 M
F-Term (33)：
4G048AA08 ,  4G048AB02 ,  4G048AB03 ,  4G048AE08 ,  4K030AA12 ,  4K030BA05 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030JA01 ,  4K030LA15 ,  4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB32 ,  4M104DD45 ,  4M104DD79 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH15 ,  5F033HH32 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ72 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR15 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS12 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033WW02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

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