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J-GLOBAL ID：200903006992333247

金属膜の形成方法

Inventor：
酒井 達也

About 酒井 達也

, 
松木 安生

About 松木 安生

, 
河口 和雄

About 河口 和雄


Applicant, Patent owner：
JSR株式会社

About JSR株式会社


Agent (1)： 大島 正孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006031334
Publication number (International publication number)：2006328526
Application date： Feb. 08, 2006
Publication date： Dec. 07, 2006
Summary：
【課題】絶縁体である基板が有するトレンチ内にメッキ法により金属、特に銅を埋め込む際のシード層になるとともに、金属原子の絶縁膜へのマイグレーションを防止するバリア層の役割をも果たし、かつ、絶縁体との密着性に優れた金属膜を簡易に形成する方法を提供する。【解決手段】コバルト化合物、ルテニウム化合物及びタングステン化合物よりなる群から選ばれる少なくとも一つの金属化合物の膜が形成された基体上の金属化合物を昇華させ、当該昇華気体を金属膜を形成するための基体に供給して分解し、それにより基体の表面に金属膜を形成する方法。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
コバルト、ルテニウム及びタングステンよりなる群から選ばれる少なくとも一つの金属の膜を形成するための第一の基体上に、コバルト化合物、ルテニウム化合物及びタングステン化合物よりなる群から選ばれる少なくとも一つの金属化合物を乗せた第二の基体から該金属化合物を昇華させ、そして当該昇華気体を該第一の基体に供給して分解し、それにより第一の基体の表面に該金属膜を形成すること特徴とする金属膜の形成方法。
IPC (2)：
C23C 16/18 ,  H01L 21/285
FI (2)：
C23C16/18 ,  H01L21/285 C
F-Term (16)：
4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030BA05 ,  4K030BA20 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA01 ,  4K030FA10 ,  4K030GA01 ,  4K030JA01 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB18 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104FF16
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (4)
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