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J-GLOBAL ID：201003065822422412

薄膜電界効果型トランジスタ、その製造方法、およびそれを用いた表示装置

Inventor： 高橋 俊朗 ,  中山 昌哉
Applicant, Patent owner： 富士フイルム株式会社
Agent (4)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008173862
Publication number (International publication number)：2010016126
Application date： Jul. 02, 2008
Publication date： Jan. 21, 2010
Summary：

【課題】本発明の目的は、電界効果移動度が高く、高ON/OFF比を有し、かつ環境温度依存性が改良されたTFTおよびその製造方法を提供することにある。およびそれを用いた表示装置を提供することである。【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有するTFTであって、前記活性層と前記ソース電極又は前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に前記活性層の抵抗より電気抵抗率の高い抵抗部を有し、かつ前記抵抗部と前記ゲート電極が互いに平面状重なりを有しない位置に配置されていることを特徴とする。TFTの製造方法および表示装置も開示される。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層と前記ソース電極又は前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に前記活性層より電気抵抗率の高い抵抗部を有し、かつ前記抵抗部と前記ゲート電極とが互いに平面状重なりを有していないことを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。

IPC (5)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H05B 33/02 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/08

FI (7)：

H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616M ,  H05B33/02 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/08

F-Term (75)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC45 ,  3K107DD17 ,  3K107EE04 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG51 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK11 ,  5F110HK16 ,  5F110HK17 ,  5F110HK18 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

• 発光装置及び表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-325367   Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• 電界効果型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-325364   Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-074630   Applicant：キヤノン株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-018243   Applicant：三洋電機株式会社
• 誘電体磁器および積層型電子部品
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-354335   Applicant：京セラ株式会社
• ZnO半導体層の形成方法、半導体素子の製造方法及び半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-058611   Applicant：三洋電機株式会社
• 薄膜トランジスタ及びその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-038425   Applicant：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社
• 特開昭61-005578
  
• 特開昭60-160170
  
• 特開昭63-258072
  
• 特開昭64-050567