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J-GLOBAL ID：200903018268215141

発光装置及び表示装置

Inventor： 田 透 ,  岩崎 達哉 ,  細野 秀雄 ,  神谷 利夫 ,  野村 研二
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
Agent (3)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005325367
Publication number (International publication number)：2006186319
Application date： Nov. 09, 2005
Publication date： Jul. 13, 2006
Summary：

【課題】非晶質酸化物を利用した新規な発光装置を提供することを目的とする。 【解決手段】第1及び第2の電極間に介在する発光層、及び電界効果型トランジスタを備え、電界効果型トランジスタの活性層は、電子キャリア濃度が1018/cm3未満の非晶質酸化物、あるいは電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物、又はノーマリーオフを実現し得る透明な非晶質酸化物半導体である。【選択図】図7

Claim (excerpt)：

発光装置であって、 第1及び第2の電極と、該第1及び第2の電極間に介在する発光層と、を有する発光素子と、 該発光素子を駆動するための電界効果型トランジスタとを備え、 該電界効果型トランジスタの活性層は、電子キャリア濃度が1018/cm3未満の非晶質酸化物であることを特徴とする発光装置。

IPC (8)：

H01L 29/786 ,  G09F 9/30 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50 ,  H01L 27/32 ,  B41J 2/44 ,  B41J 2/45 ,  B41J 2/455

FI (8)：

H01L29/78 618B ,  G09F9/30 338 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  G09F9/30 365Z ,  B41J3/21 L ,  H01L29/78 618F ,  H01L29/78 616V

F-Term (53)：

2C162AH75 ,  2C162FA04 ,  2C162FA16 ,  2C162FA23 ,  3K007AB17 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA02 ,  3K007GA04 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094FB02 ,  5C094FB14 ,  5C094HA10 ,  5C094JA02 ,  5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110NN73

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-096983   Applicant：シャープ株式会社

Cited by examiner (7)

• 薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-081483   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-086175   Applicant：ミノルタ株式会社
• ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-266012   Applicant：科学技術振興事業団, 太田裕道
• トランジスタ及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-000047   Applicant：科学技術振興事業団
• 露光装置及び記録装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-048343   Applicant：キヤノン株式会社
• 有機薄膜発光トランジスタ及びそれを用いた発光輝度制御方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-082848   Applicant：株式会社産学連携機構九州
• 半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-223042   Applicant：ミノルタ株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 高移動度(>10cm2/Vs)を有するアモルファス酸化物半導体InGaZnO4の室温製膜とキャリア輸送特性