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J-GLOBAL ID：201003075114689064
研磨方法及び研磨装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (3)：
渡邉 勇
, 小杉 良二
, 廣澤 哲也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009284492
Publication number (International publication number)：2010251699
Application date： Dec. 15, 2009
Publication date： Nov. 04, 2010
Summary：
【課題】発光デバイスや電子デバイスの材料として重要性が高まっているGaN,GaAs,GaP等のGa(ガリウム)元素を含有する化合物半導体の基板表面を、実用的な加工時間で、かつ表面精度高く平坦に加工できるようにする。【解決手段】Gaイオンを含有する液性が中性域のpH緩衝溶液からなる処理溶液14の存在下でGa元素を含有する化合物半導体の基板16を研磨具10に接触させ、基板16の表面に光を照射するか、若しくは基板16にバイアス電位を印加して基板16の表面にGa酸化物16aを形成し、または基板16の表面に光を照射しながら基板16にバイアス電位を印加して基板16の表面にGa酸化物16aを形成し、同時に基板16と研磨具10を相対運動させて該基板16の表面に形成されたGa酸化物16aを研磨除去する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
Gaイオンを含有する液性が中性域のpH緩衝溶液からなる処理溶液の存在下でGa元素を含有する化合物半導体の基板を研磨具に接触させ、
基板表面に光を照射するか、若しくは基板にバイアス電位を印加して基板表面にGa酸化物を形成し、または基板表面に光を照射しながら基板にバイアス電位を印加して基板表面にGa酸化物を形成し、
同時に前記基板と前記研磨具を相対運動させて該基板表面に形成されたGa酸化物を研磨除去することを特徴とする研磨方法。
IPC (1)：
FI (5)：
H01L21/304 621D
, H01L21/304 622W
, H01L21/304 622M
, H01L21/304 622D
, H01L21/304 622C
Cited by applicant (3)
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触媒支援型化学加工方法及び装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2006-328331
Applicant：国立大学法人大阪大学, 株式会社荏原製作所
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触媒支援型化学加工方法及び装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2006-328287
Applicant：国立大学法人大阪大学, 株式会社荏原製作所
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メカノケミカル研磨方法及びメカノケミカル研磨装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-259116
Applicant：株式会社デンソー
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