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J-GLOBAL ID：200903011895001675

触媒支援型化学加工方法及び装置

Inventor： 山内 和人 ,  佐野 泰久 ,  原 英之 ,  村田 順二 ,  八木 圭太
Applicant, Patent owner： 国立大学法人大阪大学 ,  株式会社荏原製作所
Agent (4)： 渡邉 勇 ,  堀田 信太郎 ,  小杉 良二 ,  廣澤 哲也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006328287
Publication number (International publication number)：2008121099
Application date： Dec. 05, 2006
Publication date： May. 29, 2008
Summary：

【課題】近年電子デバイスの材料として重要性が高まっている銅やGaN等を、加工効率が高く且つ数十μm以上の空間波長領域にわたって精度高く加工する。【解決手段】酸化性処理液32中に被加工物38を配し、酸性または塩基性を有する固体触媒44を被加工物38の被加工面に接触または極接近させて配して、固体触媒44と接触または極接近している被加工面の表面原子を酸化性処理液32中に溶出させて該加工面を加工する。【選択図】図7

Claim (excerpt)：

酸化性処理液中に被加工物を配し、 酸性または塩基性を有する固体触媒を被加工物の被加工面に接触または極接近させて配して、 前記固体触媒と接触または極接近している被加工面の表面原子を酸化性処理液中に溶出させて該被加工面を加工することを特徴とする触媒支援型化学加工方法。

IPC (3)：

C23F 1/00 ,  H01L 21/306 ,  C25F 3/02

FI (3)：

C23F1/00 Z ,  H01L21/306 M ,  C25F3/02 Z

F-Term (22)：

4K057WA03 ,  4K057WA04 ,  4K057WB01 ,  4K057WB02 ,  4K057WB03 ,  4K057WB04 ,  4K057WB05 ,  4K057WB08 ,  4K057WD01 ,  4K057WD10 ,  4K057WE25 ,  4K057WG02 ,  4K057WM03 ,  4K057WM20 ,  4K057WN01 ,  5F043AA26 ,  5F043BB18 ,  5F043DD08 ,  5F043DD14 ,  5F043DD16 ,  5F043DD30 ,  5F043FF07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

• 特公平2-25745号公報
  
• 特公平7-16870号公報
  
• 特公平6-44989号公報
  
• 高速剪断流による加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-347596   Applicant：科学技術振興事業団
• 特許第2962583号公報
  
• 特許第3069271号公報
  
• 特許第3734722号公報
  
• 触媒支援型化学加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-299263   Applicant：山内和人, 佐野泰久

Cited by examiner (4)

• 研磨装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-041950   Applicant：国立大学法人熊本大学
• 研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-205241   Applicant：株式会社日立製作所
• 研磨装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-139857   Applicant：森勇蔵, 株式会社荏原製作所
• 基板処理方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-148326   Applicant：株式会社荏原製作所