半導体ウエハ測定装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：矢作和行 , 野々部泰平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008166452
Publication number (International publication number)：2010010306
Application date： Jun. 25, 2008
Publication date： Jan. 14, 2010
Summary：

【課題】高電圧を印加しても絶縁破壊が起き難く、高耐圧の半導体装置についても信頼性の高い試験が可能な半導体ウエハ測定装置を提供する。【解決手段】半導体ウエハ7に一対のプローブ6a,6bを接触させて電圧を印加し、該ウエハ7に形成されている半導体装置を試験する半導体ウエハ測定装置100であって、ウエハ7に接触する一対のプローブ6a,6bの先端間に、絶縁部材8aを、該ウエハ7に接触するようにして介在させてなる半導体ウエハ測定装置100とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体ウエハに一対のプローブを接触させて電圧を印加し、該ウエハに形成されている半導体装置を試験する半導体ウエハ測定装置であって、前記ウエハに接触する一対のプローブの先端間に、絶縁部材を、該ウエハに接触するようにして介在させることを特徴とする半導体ウエハ測定装置。

IPC (2)：

H01L 21/66 , G01R 1/067

FI (2)：

H01L21/66 B , G01R1/067 H

F-Term (12)：

2G011AA02 , 2G011AA17 , 2G011AB06 , 2G011AC31 , 2G011AE03 , 4M106AA01 , 4M106AA02 , 4M106BA01 , 4M106CA14 , 4M106DD10 , 4M106DD22 , 4M106DD30

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

プローブカード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-095647 Applicant：富士電機株式会社

Cited by examiner (7)

平板状被検査体試験用ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-041442 Applicant：株式会社日本マイクロニクス
プローブカード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-112728 Applicant：株式会社東京カソード研究所
プローブカード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-287073 Applicant：株式会社日本マイクロニクス

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