半導体配線の製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：植木久一 , 菅河忠志 , 二口治 , 伊藤浩彰 , 植木久彦 , 植村純子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009009971
Publication number (International publication number)：2010171063
Application date： Jan. 20, 2009
Publication date： Aug. 05, 2010
Summary：

【課題】例えばULSI(超大規模集積回路)等に代表されるSi半導体デバイス等の半導体装置において、高性能(低電気抵抗率)かつ高信頼性(高EM耐性)を示すCu系配線を提供する。【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にCu-Ti合金が直接埋め込まれてなる半導体装置のCu系配線の製造方法であって、前記Cu-Ti合金が、Tiを0.5原子%以上3.0原子%以下含むものであり、かつ、前記Cu-Ti合金をスパッタリング法で形成し、該Cu-Ti合金を前記凹部に埋め込む時または埋め込み後に、該Cu-Ti合金を下記加熱条件で加熱する工程を含むことを特徴とする半導体装置のCu系配線の製造方法。(加熱条件)加熱温度:350〜600°C加熱時間:10〜120min.室温から上記加熱温度までの昇温速度:10°C/min.以上加熱雰囲気における酸素分圧:1×10-7〜1×10-4atm【選択図】なし

Claim (excerpt)：

半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にCu-Ti合金が直接埋め込まれてなる半導体配線の製造方法であって、前記Cu-Ti合金がTiを0.5原子%以上3.0原子%以下含むものであり、かつ、前記Cu-Ti合金をスパッタリング法で形成し、該Cu-Ti合金を前記凹部に埋め込む時または埋め込み後に、該Cu-Ti合金を下記加熱条件で加熱する工程を含むことを特徴とする半導体配線の製造方法。 (加熱条件) 加熱温度:350〜600°C 加熱時間:10〜120min. 室温から上記加熱温度までの昇温速度:10°C/min.以上加熱雰囲気における酸素分圧:1×10-7〜1×10-4atm

IPC (5)：

H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 21/285 , C23C 14/34 , C23C 14/58

FI (5)：

H01L21/88 M , H01L21/285 S , H01L21/88 B , C23C14/34 A , C23C14/58 A

F-Term (48)：

4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA21 , 4K029BC03 , 4K029BD02 , 4K029CA05 , 4K029DC03 , 4K029DC15 , 4K029DC34 , 4K029DC39 , 4K029FA01 , 4K029GA01 , 4M104BB04 , 4M104BB25 , 4M104BB36 , 4M104BB38 , 4M104DD36 , 4M104DD37 , 4M104DD40 , 4M104DD43 , 4M104DD52 , 4M104DD78 , 4M104DD79 , 4M104HH01 , 4M104HH16 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH27 , 5F033HH31 , 5F033LL02 , 5F033LL09 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP20 , 5F033PP27 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033QQ75 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033WW00 , 5F033WW03 , 5F033WW05 , 5F033XX10 , 5F033XX28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体配線の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-077443 Applicant：株式会社神戸製鋼所, 国立大学法人京都大学
半導体配線の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-192153 Applicant：株式会社神戸製鋼所, 国立大学法人京都大学
半導体装置の製造方法および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-350176 Applicant：ソニー株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Self-Formation of Ti-rich Interfacial Layers in Cu(Ti) Alloy Films

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