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J-GLOBAL ID:201003081814101750

X線反射装置及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5): 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜 ,  須田 洋之 ,  上杉 浩
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008256136
Publication number (International publication number):2010085304
Application date: Oct. 01, 2008
Publication date: Apr. 15, 2010
Summary:
【課題】直線的なスリットを形成したX線反射装置の欠点を解消することのできるX線結像装置を提供する。【解決手段】X線反射装置は、シリコンウェハをドライエッチングして複数の曲線状のスリットを形成し、前記複数のスリットの各側壁を磁性流体を使って研磨してX線反射面を形成して得られる。さらに、X線反射面の形成後に、シリコンウェハ全体を塑性変形することにより、曲面上のX線反射装置が得られる。他のX線反射装置は、X線LIGAプロセスで複数の曲線状のスリットが形成された金属基板を形成し、磁性流体を使って前記複数のスリットの各側壁を研磨してX線反射面を形成して得られる。【選択図】図1
Claim (excerpt):
シリコンウェハをドライエッチングして、複数の曲線状のスリットを形成する工程と、 磁性流体を使って前記複数のスリットの各側壁を研磨してX線反射面を形成する工程と、 を含んだX線反射装置の製造方法。
IPC (3):
G21K 1/06 ,  G02B 5/08 ,  G02B 5/10
FI (6):
G21K1/06 D ,  G21K1/06 B ,  G21K1/06 C ,  G02B5/08 C ,  G02B5/08 A ,  G02B5/10
F-Term (8):
2H042DA01 ,  2H042DA12 ,  2H042DA22 ,  2H042DC05 ,  2H042DC08 ,  2H042DC12 ,  2H042DD08 ,  2H042DE00
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (10)
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