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J-GLOBAL ID:201003081814101750
X線反射装置及びその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (5):
熊倉 禎男
, 大塚 文昭
, 西島 孝喜
, 須田 洋之
, 上杉 浩
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008256136
Publication number (International publication number):2010085304
Application date: Oct. 01, 2008
Publication date: Apr. 15, 2010
Summary:
【課題】直線的なスリットを形成したX線反射装置の欠点を解消することのできるX線結像装置を提供する。【解決手段】X線反射装置は、シリコンウェハをドライエッチングして複数の曲線状のスリットを形成し、前記複数のスリットの各側壁を磁性流体を使って研磨してX線反射面を形成して得られる。さらに、X線反射面の形成後に、シリコンウェハ全体を塑性変形することにより、曲面上のX線反射装置が得られる。他のX線反射装置は、X線LIGAプロセスで複数の曲線状のスリットが形成された金属基板を形成し、磁性流体を使って前記複数のスリットの各側壁を研磨してX線反射面を形成して得られる。【選択図】図1
Claim (excerpt):
シリコンウェハをドライエッチングして、複数の曲線状のスリットを形成する工程と、
磁性流体を使って前記複数のスリットの各側壁を研磨してX線反射面を形成する工程と、
を含んだX線反射装置の製造方法。
IPC (3):
G21K 1/06
, G02B 5/08
, G02B 5/10
FI (6):
G21K1/06 D
, G21K1/06 B
, G21K1/06 C
, G02B5/08 C
, G02B5/08 A
, G02B5/10
F-Term (8):
2H042DA01
, 2H042DA12
, 2H042DA22
, 2H042DC05
, 2H042DC08
, 2H042DC12
, 2H042DD08
, 2H042DE00
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (9)
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X線ズームレンズ
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2001-540790
Applicant:ビーティージー・インターナショナル・リミテッド
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選択励起蛍光X線分析装置および選択励起蛍光X線分析方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-289434
Applicant:住友金属工業株式会社
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研磨材、研磨材の製造方法及び研磨若しくは研削方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-334243
Applicant:ニスカ株式会社, 梅原徳次
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研削用砥粒体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-164369
Applicant:ニスカ株式会社, 梅原徳次, 有限会社新技術マネイジメント
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X線回折要素及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-293891
Applicant:科学技術振興事業団, 松原英一郎, 松下電器産業株式会社
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特許第4025779号
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不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-259093
Applicant:日本電気株式会社
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-349924
Applicant:山形日本電気株式会社
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特開昭63-236948
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