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J-GLOBAL ID：201003088203642289

磁気抵抗素子

Inventor： ユルグ・ヴンダーリッヒ ,  ジャン・ゼメン ,  クロード・シャッペル ,  ブライアン・ガラガー ,  ティボー・デボルデル ,  デイビッド・ウィリアムズ ,  トマス・ユングヴィルト
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  ユニヴェルシテ・パリ・シュド・オーンズ ,  サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ シアンティフィック
Agent (1)： 特許業務法人浅村特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010004787
Publication number (International publication number)：2010166054
Application date： Jan. 13, 2010
Publication date： Jul. 29, 2010
Summary：

【課題】磁気抵抗素子全体の電力消費を低減させる。【解決手段】磁気抵抗素子は、磁気異方性を示し、その磁化が少なくとも第一及び第二の方向の間で反転できるように構成された強磁性層と、強磁性領域に容量性結合されたゲートとを含んでいる。磁気抵抗素子を動作させる方法は、第一及び第二の方向の間で磁化を反転させるために、強磁性領域の磁気異方性の方向を変化させるように、強磁性領域に電場パルスを印加するステップを含んでいる。【選択図】図8

Claim (excerpt)：

メモリセルのアレイであって、各メモリセルは、磁気異方性を示し、その磁化が少なくとも第一及び第二の方向の間で反転できるように構成された強磁性領域を含む磁気抵抗素子を含み、 前記第一及び第二の方向の間で磁化を反転させるために、前記強磁性領域の磁気異方性の方向を変化させるように、メモリセル内の前記磁気抵抗素子の前記強磁性領域に電場パルスを印加する回路を含む、メモリ素子。

IPC (4)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  G11C 11/15

FI (3)：

H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  G11C11/15 110

F-Term (21)：

4M119AA03 ,  4M119BB13 ,  4M119CC09 ,  4M119DD41 ,  4M119DD45 ,  4M119EE23 ,  4M119EE24 ,  4M119EE27 ,  5F092AB06 ,  5F092AB08 ,  5F092AC24 ,  5F092AD22 ,  5F092AD28 ,  5F092BD03 ,  5F092BD04 ,  5F092BD07 ,  5F092BD13 ,  5F092BD14 ,  5F092BD15 ,  5F092CA03 ,  5F092GA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 磁気特性の変調方法および磁気機能装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-186045   Applicant：ソニー株式会社
• 磁気抵抗素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-170142   Applicant：株式会社日立製作所, ユニヴェルシテ・パリ・シュド・オーンズ, サントルナショナルドゥラルシェルシュシアンティフィック
• 磁気抵抗素子および磁化反転方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-101328   Applicant：国立大学法人大阪大学