磁気抵抗素子

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (2)：浅村皓 , 浅村肇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008170142
Publication number (International publication number)：2009021586
Application date： Jun. 30, 2008
Publication date： Jan. 29, 2009
Summary：

【課題】少ない電力消費で磁気抵抗素子を動作させる方法を提供する。【解決手段】磁気抵抗素子(21)は、磁気異方性を示しかつその磁化を少なくとも第1と第2の配向の間に切り換えることができる強磁性領域(22)とこの強磁性領域(22)に容量的に結合するゲート(23)とを含む。この方法は、電界パルス(29)を強磁性領域(22)に与えることにより、磁気異方性の配向を変えて磁化を第1と第2の配向の間に切り換えることを含む。【選択図】図8

Claim (excerpt)：

磁気異方性を示しかつその磁化を少なくとも第1と第2の配向の間に切り換えることができる強磁性領域と前記強磁性領域に容量的に結合するゲートとを含む磁気抵抗素子を動作させる方法であって、電界パルスを前記強磁性領域に与えることにより、磁気異方性の配向を変えて磁化を前記第1と第2の配向の間に切り換える、ことを含む磁気抵抗素子を動作させる方法。

IPC (4)：

H01L 29/82 , H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105

FI (4)：

H01L29/82 Z , H01L43/08 Z , H01L43/08 S , H01L27/10 447

F-Term (20)：

4M119AA03 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC02 , 4M119CC04 , 4M119CC05 , 4M119CC08 , 4M119CC09 , 5F092AA04 , 5F092AB06 , 5F092AC05 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AC24 , 5F092AD25 , 5F092BB26 , 5F092BB38 , 5F092BB46 , 5F092BC42 , 5F092EA04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

導電制御デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-080518 Applicant：株式会社日立製作所
スピン注入型磁気抵抗効果素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-087950 Applicant：ソニー株式会社
磁気メモリ用途のための応力支援による電流駆動式スイッチング
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2006-539853 Applicant：グランディスインコーポレイテッド

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Cited by examiner (7)

導電制御デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-080518 Applicant：株式会社日立製作所
スピン注入型磁気抵抗効果素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-087950 Applicant：ソニー株式会社
磁気メモリ用途のための応力支援による電流駆動式スイッチング
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2006-539853 Applicant：グランディスインコーポレイテッド

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