Pat
J-GLOBAL ID:201003090961017977

銅膜形成方法及び配線基板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 綿貫 隆夫 ,  堀米 和春 ,  堀内 剛
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008162725
Publication number (International publication number):2010001543
Application date: Jun. 23, 2008
Publication date: Jan. 07, 2010
Summary:
【課題】樹脂基板又は樹脂層の平坦面に形成した銅膜の密着強度が不充分である従来の銅膜形成方法の課題を解消する。【解決手段】エポキシ樹脂から成る樹脂層の一面側に、その平坦状態を保持しつつプラズマ照射した後、1-ビニルイミダゾールを塗布し、次いで、前記樹脂層の一面側に紫外線を照射した後、前記樹脂層の一面側に無電解銅めっきで形成した薄銅膜を給電層とする電解銅めっきによって所定厚さの銅膜を形成し、その後、前記銅膜と樹脂層とのピール強度を向上できるように、前記樹脂層と銅膜とに熱処理を施すことを特徴とする。【選択図】なし
Claim (excerpt):
エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂、或いはエポキシ樹脂とポリイミド樹脂とが混合された混合樹脂から成る樹脂層又は樹脂板の一面側に、その平坦状態を保持しつつプラズマ照射した後、下記[化1]に示す1-ビニルイミダゾールを塗布し、 次いで、前記樹脂層又は樹脂板の一面側に紫外線を照射した後、前記樹脂層又は樹脂板の一面側に無電解銅めっきで形成した薄銅膜を給電層とする電解銅めっきによって所定厚さの銅膜を形成し、 その後、前記銅膜と樹脂層又は樹脂板とのピール強度を向上できるように、前記樹脂層又は樹脂板と銅膜とに熱処理を施すことを特徴とする銅膜形成方法。
IPC (9):
C23C 18/20 ,  H05K 3/18 ,  H05K 3/38 ,  B05D 3/04 ,  B05D 3/10 ,  B05D 5/12 ,  C23C 18/16 ,  C23C 18/38 ,  C23C 28/00
FI (10):
C23C18/20 A ,  H05K3/18 A ,  H05K3/38 A ,  B05D3/04 C ,  B05D3/10 D ,  B05D5/12 B ,  C23C18/16 Z ,  C23C18/38 ,  C23C28/00 A ,  C23C28/00 D
F-Term (50):
4D075BB28Z ,  4D075BB46Z ,  4D075BB49X ,  4D075BB87Z ,  4D075BB93Z ,  4D075CA13 ,  4D075CB38 ,  4D075DA06 ,  4D075DB47 ,  4D075DB53 ,  4D075DC19 ,  4D075DC21 ,  4D075DC22 ,  4D075EC07 ,  4K022AA15 ,  4K022AA18 ,  4K022AA32 ,  4K022AA42 ,  4K022BA08 ,  4K022CA03 ,  4K022CA06 ,  4K022CA12 ,  4K022CA22 ,  4K022DA01 ,  4K022EA01 ,  4K022EA04 ,  4K044AA16 ,  4K044AB02 ,  4K044BA06 ,  4K044BB03 ,  4K044BC14 ,  4K044CA04 ,  4K044CA07 ,  4K044CA15 ,  4K044CA18 ,  5E343AA17 ,  5E343AA18 ,  5E343AA38 ,  5E343BB15 ,  5E343BB24 ,  5E343CC04 ,  5E343CC22 ,  5E343DD33 ,  5E343DD43 ,  5E343DD63 ,  5E343DD76 ,  5E343EE36 ,  5E343ER43 ,  5E343GG02 ,  5E343GG08
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1) Cited by examiner (3)

Return to Previous Page