金属型及び半導体型単層カーボンナノチューブからなる半導体装置

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008164044
Publication number (International publication number)：2010010162
Application date： Jun. 24, 2008
Publication date： Jan. 14, 2010
Summary：

【課題】ソース・ドレイン等の電極に金属型単層カーボンナノチューブ(SWCNT)、チャネルに半導体型SWCNTを利用することで、チャネル・ソース・ドレイン間のコンタクトが良好な半導体装置を提供する。【解決手段】SWCNT原料から、金属型・半導体型SWCNTの分離精製を行い、それぞれ純度90%以上のものを用意し、インクジェット法により、ソース・ドレインを金属型SWCNTで形成し、チャネルを半導体型SWCNTで形成することにより、良好なコンタクトを保ちながら、トランジスタ動作が可能となる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に金属型単層カーボンナノチューブ列からなる電極と半導体型単層カーボンナノチューブ列からなるチャネル領域が形成され、金属型単層カーボンナノチューブ列と半導体型単層カーボンナノチューブ列との接続領域でコンタクトが形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 29/16 , H01L 29/06 , H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 21/288 , C01B 31/02

FI (9)：

H01L29/16 , H01L29/06 601N , H01L29/78 616V , H01L29/78 617T , H01L29/78 618B , H01L21/28 301B , H01L21/28 301Z , H01L21/288 Z , C01B31/02 101F

F-Term (41)：

4G146AA12 , 4G146AB07 , 4G146AC16B , 4G146AC20B , 4G146AD30 , 4G146CA06 , 4G146CA11 , 4G146CA16 , 4G146CB10 , 4G146CB16 , 4G146CB17 , 4G146CB19 , 4G146CB35 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD51 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH15 , 5F110AA30 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE08 , 5F110EE11 , 5F110EE24 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG22 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK32 , 5F110HM04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

単層カーボンナノチューブヘテロ接合およびその製造方法ならびに半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-291065 Applicant：ソニー株式会社
能動的電子素子および電子装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-356610 Applicant：富士ゼロックス株式会社
カーボンナノチューブの製造方法及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-091701 Applicant：日本電信電話株式会社

Return to Previous Page