窒化物半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人快友国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009098985
Publication number (International publication number)：2010251505
Application date： Apr. 15, 2009
Publication date： Nov. 04, 2010
Summary：

【課題】p型の窒化物半導体層からのマグネシウムの拡散を防止するとともに良好なノーマリオフ特性を確保することができる窒化物半導体装置を提供する。【解決手段】窒化物半導体装置100は、nチャネル型の縦型のHEMTである。窒化物半導体装置100は、n型の第3窒化物半導体層4の表面の一部にマグネシウムが含有されているp型の第1窒化物半導体層6a、6bを備えている。第1窒化物半導体層6a、6bの表面に臨む範囲には、イオン注入されたアルミニウムが含有されているAl含有領域8a、8bが形成されている。Al含有領域8a、8bはマグネシウムの拡散を防止する。また、Al含有領域8a、8bの表裏両面に二次元電子ガス層が発生することが抑制され、リーク電流が流れることが抑制される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

マグネシウムを含有するp型の第1窒化物半導体層と、その第1窒化物半導体層の表面に形成されているn型又はi型の第2窒化物半導体層を備えているnチャネル型の窒化物半導体装置であり、前記第1窒化物半導体層の少なくとも表面に臨む範囲にアルミニウムが含有されていることを特徴とする窒化物半導体装置。

IPC (6)：

H01L 29/80 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/12 , H01L 29/78

FI (7)：

H01L29/80 V , H01L29/80 H , H01L29/78 652T , H01L29/78 652B , H01L29/78 652E , H01L29/78 652J , H01L29/78 652C

F-Term (12)：

5F102FB01 , 5F102GB01 , 5F102GB04 , 5F102GC07 , 5F102GC08 , 5F102GD04 , 5F102GD10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-270286 Applicant：ユーディナデバイス株式会社
半導体装置と半導体装置製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-280485 Applicant：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
特公平2-060063

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