半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：片山修平 , 横山照夫 , 八田俊之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006270286
Publication number (International publication number)：2008091595
Application date： Oct. 02, 2006
Publication date： Apr. 17, 2008
Summary：

【課題】GaN系半導体層とSiC基板との接触抵抗を小さくすること、および高耐圧化すること。【解決手段】本発明は、3C-SiCからなる基板(10)と、基板(10)上に設けられたGaN系半導体層(18)と、GaN系半導体層(18)上に設けられた第1電極(24)と、基板(10)に設けられた第2電極(28)と、第1電極(24)と第2電極(28)との間に流れる電流を制御する制御電極(26)と、を具備することを特徴とする半導体装置半導体装置およびその製造方法である。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

3C-SiCからなる基板と、該基板上に設けられたGaN系半導体層と、前記GaN系半導体層上に設けられた第1電極と、前記基板に接続された第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に流れる電流を制御する制御電極と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/80 , H01L 21/28 , H01L 29/417

FI (3)：

H01L29/80 V , H01L21/28 301B , H01L29/50 J

F-Term (27)：

4M104AA04 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD34 , 4M104DD68 , 4M104FF13 , 4M104GG12 , 4M104GG18 , 5F102FA01 , 5F102FA03 , 5F102GB04 , 5F102GC07 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GK00 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GR04 , 5F102GR07 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

炭化珪素膜及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-072809 Applicant：HOYA株式会社

Cited by examiner (5)

電力変換装置及びそれに用いるGaN系半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-247518 Applicant：古河電気工業株式会社
GaN系電界効果トランジスタとその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-041555 Applicant：古河電気工業株式会社
化合物半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-101084 Applicant：株式会社東芝

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