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J-GLOBAL ID：201003097257719286

半導体デバイス、その製造装置及び製造方法

Inventor：
小野沢 和久

About 小野沢 和久

, 
塩谷 喜美

About 塩谷 喜美


Applicant, Patent owner：
株式会社ADEKA

About 株式会社ADEKA

, 
株式会社ナノマテリアル研究所

About 株式会社ナノマテリアル研究所


Agent (1)： 沢田 雅男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009186634
Publication number (International publication number)：2010103484
Application date： Aug. 11, 2009
Publication date： May. 06, 2010
Summary：
【課題】低温処理で、所望のSiN膜を製造できるようにする。【解決手段】処理対象に対して窒素系ガス(窒素(N2)ガス、アンモニア(NH3)ガス、ジアジン(N2H2)ガス、ヒドラジン(N2H4)ガスなど)を供給する手段と、前記処理対象に対してシリコン系ガス(アミノ基、ジメチルアミノ基又はエチルアミノ基を有するもの。シランガス、ジシランガス、ジシラザンガスなど)を供給する手段と、前記各ガスの供給時に前記処理対象を減圧環境とする手段とを備える。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
処理対象に対して水素成分又はハロゲン成分を含むシリコン系ガスを供給する手段と、前記シリコン系ガスを供給した後に前記処理対象に対して窒素系ガスを供給する手段とを備える半導体デバイスの製造装置。
IPC (5)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/318 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/48 ,  C23C 16/507
FI (5)：
H01L21/31 B ,  H01L21/318 B ,  C23C16/42 ,  C23C16/48 ,  C23C16/507
F-Term (49)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030EA03 ,  4K030FA03 ,  4K030FA08 ,  4K030HA01 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  4K030LA18 ,  5F045AA08 ,  5F045AA11 ,  5F045AA15 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045DP03 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE19 ,  5F045EF02 ,  5F045EH18 ,  5F045EK06 ,  5F045HA16 ,  5F058BC08 ,  5F058BF04 ,  5F058BF05 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BF40 ,  5F058BG03 ,  5F058BH01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 特許第2890698号
Cited by examiner (3)

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