Art

J-GLOBAL ID：201102228692465467   Reference number：11A1923889

Growth of Quasi-Single-Crystal Silicon-Germanium Thin Films on Glass Substrates by Continuous Wave Laser Lateral Crystallization

連続波レーザ横方向結晶化によるガラス基板上の準単結晶珪素-ゲルマニウム薄膜の成長

Author (5)： KITAHARA Kuninori (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  HIROSE Kenta (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  SUZUKI Junki (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  KONDO Kenji (Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN) ,  HARA Akito (Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 50  Issue： 11,Issue 1  Page： 115501.1-115501.6  Publication year： Nov. 25, 2011 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *crystallization ,  single crystal ,  *thin film growth ,  crystal growth ,  segregation (concentration distribution) ,  *semiconductor thin film ,  silicide ,  germanium compound ,  semiconductor material ,  cw laser ,  laser application ,  Raman spectrum ,  grain boundary
Semi thesaurus term： 準単結晶

JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Reference (27)：

• 1) J. G. Blake, M C King, and J D. Stevens III: Solid State Technol. 40 (1997) 151.
• 2) A. Hara, F. Takeuchi, and N. Sasaki: J Appl. Phys 91 (2002) 708.
• 3) R. Ishihara, A. Burtsev, and P. F. A. Alkemade: Jpn. J Appl Phys. 39 (2000) 3872
• 4) A. Hara, F. Takeuchi, M. Takei, K. Suga, K Yoshino, M. Chida, Y. Sano, and N. Sasaki. Jpn. J. Appl. Phys 41 (2002) L311.
• 5) M. Hatano, T. Shiba, and M. Ohkura: SID Int. Symp Dig Tech Pap. 33 (2002) 158.

Terms in the title (8)： 連続波レーザ ,  横方向 ,  結晶化 ,  ガラス基板 ,  単結晶珪素 ,  ゲルマニウム ,  薄膜 ,  成長