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J-GLOBAL ID：201102239698437920   Reference number：11A1928963

High Performance Extremely Thin Body InGaAs-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors on Si Substrates with Ni-InGaAs Metal Source/Drain

Ni-InGaAs金属ソース/ドレインを有するSi基板上の絶縁体上高性能極薄体InGaAs金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)

Author (14)： KIM SangHyeon (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  YOKOYAMA Masafumi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAOKA Noriyuki (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  IIDA Ryo (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  LEE Sunghoon (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NAKANE Ryosho (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  URABE Yuji (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  MIYATA Noriyuki (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  YASUDA Tetsuji (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  YAMADA Hisashi (Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN) ,  FUKUHARA Noboru (Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN) ,  HATA Masahiko (Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN) ,  TAKENAKA Mitsuru (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKAGI Shinichi (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 4  Issue： 11  Page： 114201.1-114201.3  Publication year： Nov. 25, 2011 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,  indium gallium arsenide ,  *compound semiconductor ,  semiconductor material ,  source ,  electric current ,  drain (semiconductor) ,  mobility (ratio) ,  ultrathin film ,  ratio ,  *current-voltage characteristic ,  wafer ,  device structure ,  doping ,  Si wafer
Semi thesaurus term： silicon substrate ,  オンオフ電流比 ,  drain current ,  high performance

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (15)：

• TAKAGI, S. IEEE Trans. Electron Devices. 2008, 55, 21
• WU, Y. Q. IEDM Tech. Dig., 2009. 2009, 331
• RADOSAVLJEVIC, M. IEDM Tech. Dig., 2010. 2010, 126
• DEURA, M. Proc. IEEE Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials, 2009. 2009, 48
• KO, H. Nature. 2010, 468, 286

Terms in the title (9)： Ni ,  InGaAs ,  ソース ,  ドレイン ,  Si基板 ,  絶縁体 ,  金属酸化膜半導体 ,  電界効果トランジスタ ,  MOSFET