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J-GLOBAL ID：201102248783818355   Reference number：11A1249959

Deprotonation mechanism of poly(styrene-acrylate)-based chemically amplified resist

ポリ(スチレン-アクリレート)系化学増幅レジストの脱プロトン機構

Author (9)： TAJIMA Y. (Hokkaido Univ., Hokkaido, JPN) ,  OKAMOTO K. (Hokkaido Univ., Hokkaido, JPN) ,  OKAMOTO K. (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  KOZAWA T. (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  KOZAWA T. (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TAGAWA S. (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  TAGAWA S. (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  FUJIYOSHI R. (Hokkaido Univ., Hokkaido, JPN) ,  SUMIYOSHI T. (Hokkaido Univ., Hokkaido, JPN)
Material： Proceedings of SPIE  (Proceedings. SPIE - The International Society for Optical Engineering)
Volume： 7972  Issue： Pt.2  Page： 79721N.1-79721N.7  Publication year： 2011 
JST Material Number： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： polystyrene ,  copolymerization ,  copolymer ,  degree of polymerization ,  *chemically amplified resist ,  *photolithography ,  mole ratio ,  *deprotonation ,  multimer ,  Pulse Radiolysis ,  generation ,  semiconductor process ,  aliphatic carboxylic acid ,  olefin compound ,  unsaturated carboxylic acid ,  carboxylate (ester) ,  EUV resist
Semi thesaurus term： 酸発生

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Substance index (1)： Methacrylic acid methyl

Terms in the title (4)： スチレン ,  系 ,  化学増幅レジスト ,  脱プロトン