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J-GLOBAL ID：201102263178279808   Reference number：11A0980881

Ab Initio Molecular Orbital Study on Acceleration Mechanism of Silane Plasma Chemical Vapor Deposition by Diborane

ジボランによるシランプラズマ化学蒸着の加速機構のab initio分子軌道研究

Author (2)： SATO Kota (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  KUBOTA Yasuyo (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 4  Issue： 5  Page： 056202.1-056202.2  Publication year： May. 25, 2011 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： diborane ,  silane ,  *plasma CVD ,  ab initio method ,  *molecular orbital ,  *dangling bond ,  thin film growth

JST classification (1)： Techniques and equipment of thin film deposition  (BK14020I)

Reference (16)：

• SPEAR, W. E. Solid State Commun. 1975, 17, 1193
• PERRIN, J. Surf. Sci. 1989, 210, 114
• SATO, K. Phys. Rev. B. 1992, 46, 1913
• SATO, K. Phys. Rev. B. 1994, 50, 2675
• NAKAJIMA, K. J. Appl. Phys. 1998, 84, 606

Terms in the title (6)： ジボラン ,  シラン ,  プラズマ化学蒸着 ,  加速 ,  分子軌道 ,  研究