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J-GLOBAL ID：201102288351909866   Reference number：11A0926742

Importance of Starting Procedure for Film Growth in Substrate-Type Microcrystalline-Silicon Solar Cells

基板型微結晶シリコン太陽電池における膜成長に関する出発手続きの重要性

Author (6)： CHANTANA Jakapan (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TSUTSUI Yuichi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SOBAJIMA Yasushi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SADA Chitose (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MATSUDA Akihisa (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  OKAMOTO Hiroaki (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 50  Issue： 4,Issue 1  Page： 045806.1-045806.5  Publication year： Apr. 25, 2011 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *solar cell ,  silicon ,  hydrogenation ,  plasma CVD ,  substrate(plate) ,  interface(surface) ,  emission spectroscopy ,  *electron temperature ,  silane ,  dangling bond ,  defect density ,  photovoltage
Semi thesaurus term： *microcrystalline silicon

JST classification (3)： Solar cell  (NC03084O) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (34)：

• 1) W. Guang-Pu, H. Okamoto, and Y. Hamakawa: Jpn. J. Appl. Phys. 24 (1985) 1105.
• 2) D. Kruangam, T. Toyama, Y. Hattori, M. Deguchi, H. Okamoto, and Y. Hamakawa: J. Non-Cryst. Solids 97-98 (1987) 293
• 3) T. Takeshita, T. Unagami, and O. Kogure: Jpn. J. Appl. Phys. 27 (1988) L2118.
• 4) J. Meier, R. Fluckiger, H. Keppner, and A. Shah: Appl Phys. Lett. 65 (1994) 860.
• 5) K. Yamamoto, T. Suzuki, M. Yoshimi, and A. Nakajima: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L569.

Terms in the title (5)： 微結晶シリコン ,  太陽電池 ,  膜成長 ,  手続き ,  重要性