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J-GLOBAL ID：201102297658130750   Reference number：11A1586540

低誘電率(Low-k)熱酸化陽極化成Siの作製と誘電特性の評価

Author (3)： SONEGAWA TOMIHIRO (琉球大 工) ,  UEHARA KAZUHIRO (琉球大 工) ,  MAEHAMA TAKEHIRO (琉球大 工)
Material： 電子情報通信学会論文誌 C  (IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))
Volume： J94-C  Issue： 10  Page： 316-322  Publication year： Oct. 01, 2011 
JST Material Number： S0623C  ISSN： 1345-2827  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *insulating film ,  *dielectric material ,  anodizing ,  *porous silicon ,  electrical measurement ,  VLSI
Semi thesaurus term： *interlayer insulating film ,  low-dielectric constant material ,  dielectric measurement

JST classification (1)： Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Reference (11)：

• 吉見 信, 福島敏高, “国際半導体技術ロードマップ (ITRS2001) 報告, “応用物理, vol.71, no.10, pp. 1241-1246, Oct.2002.
• A. Grill and V. Patel, “Ultralow-k dielectrics prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition,” Appl. Phys. Lett., vol.79, pp. 803-805, Aug.2001.
• A. Grill and D. A. Neumayer, “Structure of low dielectric constant to extreme low dielectric constant SiCOH films: Fourier transform infrared spectroscopy characterization,” J. Appl. Phys., vol.94, no.10, pp. 6697-6707, Nov.2003.
• T. Maehama, C. Afuso, and N. Itoh, “Structural analysis of porous silicon multilayer using X-ray diffraction,” Jpn. J. Appl. Phys.1, Regul. Pap. Short Notes, vol.37, no.3A, pp. 998-1005, March 1998.
• T. Maehama, A. Yonamine, and T. Sonegawa, “Measurement of porosity of porous silicon using X-ray refraction effect,” Jpn. J. Appl. Phys.1, Regul. Pap. Short Notes, vol.39, no.6A, pp. 3649-3656, June 2000.

Terms in the title (7)： 低誘電率 ,  熱酸化 ,  陽極化成 ,  Si ,  作製 ,  誘電特性 ,  評価