Pat

J-GLOBAL ID：201103003080046173

磁気遮蔽装置

Inventor： 池田 時浩 ,  清水 裕彦 ,  佐藤 広海 ,  大谷 航 ,  加藤 博 ,  宮坂 浩正 ,  大谷 知行 ,  川井 和彦 ,  奥 隆之 ,  渡辺 博 ,  瀧澤 慶之 ,  仲川 博 ,  青柳 昌宏 ,  赤穂 博司
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  独立行政法人理化学研究所
Agent (2)： 上島 淳一 ,  上島 淳一
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：1999057749
Publication number (International publication number)：2000258519
Patent number：4467020
Application date： Mar. 04, 1999
Publication date： Sep. 22, 2000
Claim (excerpt)：

【請求項1】超伝導量子干渉計を用いた増幅器を単一の素子として1つのチップ上に構成したSQUIDアンプチップを使用するに際して、外界からの磁気の進入を遮蔽する磁気遮蔽装置において、 液体ヘリウム温度に冷却される低温ステージと、 前記低温ステージ上に配置され、熱伝導によって液体ヘリウム温度に冷却されるソケットと、 前記ソケット上に位置決め固定されるとともにSQUIDアンプチップを内部に配置し、液体ヘリウム温度で超伝導になる材料を用いて構成されて熱伝導によって液体ヘリウム温度に冷却される容器状の第1のシールドと、 前記第1のシールドを外側から被覆するとともに、極低温で透磁率が劣化しない材料を用いて構成される容器状の第2のシールドと を有することを特徴とする磁気遮蔽装置。

IPC (4)：

G01R 33/035 ( 200 6.01) ,  G01R 33/02 ( 200 6.01) ,  H01L 39/22 ( 200 6.01) ,  H03F 19/00 ( 200 6.01)

FI (4)：

G01R 33/035 ZAA ,  G01R 33/02 W ,  H01L 39/22 ZAA D ,  H03F 19/00 ZAA

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• ラッチフリーSQUID磁束計
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-053685   Applicant：株式会社超伝導センサ研究所
• SQUID磁束計及びSQUID磁束計の校正方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-161601   Applicant：株式会社超伝導センサ研究所
• 磁束計
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-245102   Applicant：富士通株式会社
• 超伝導デバイス取付けユニット及びそのシステム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-092575   Applicant：株式会社日立製作所