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J-GLOBAL ID：201103003335224658

アモルファスカーボン膜を含む積層構造を形成する方法及び装置

Inventor：
岡田 充弘

About 岡田 充弘

, 
東條 行雄

About 東條 行雄


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 高山 宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011009705
Publication number (International publication number)：2011181903
Application date： Jan. 20, 2011
Publication date： Sep. 15, 2011
Summary：
【課題】 下地層とアモルファスカーボン膜との密着性を向上させることが可能な方法を提供すること。【解決手段】 アモルファスカーボン膜を含む積層構造を下地層上に形成する方法は、前記下地層上に有機系シリコンガスを供給し、前記下地層の表面にSi-C結合を含む初期層を形成する工程(t4)と、前記初期層が表面に形成された前記下地層上に炭化水素化合物ガスを含む成膜ガスを供給し、前記下地層上に前記アモルファスカーボン膜を熱成膜で形成する工程(t6)と、を具備する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
アモルファスカーボン膜を含む積層構造を下地層上に形成する方法であって、 前記下地層の表面にSi-C結合を含む初期層を形成する工程と、ここで前記下地層上に有機系シリコンガスを供給することと、 前記初期層が表面に形成された前記下地層上に前記アモルファスカーボン膜を熱成膜で形成する工程と、ここで前記下地層上に炭化水素化合物ガスを含む成膜ガスを供給することと、 を具備する方法。
IPC (5)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/32 ,  C23C 16/34
FI (5)：
H01L21/205 ,  H01L21/31 B ,  C23C16/26 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34
F-Term (45)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030AA13 ,  4K030BA27 ,  4K030BA35 ,  4K030BA44 ,  4K030BB05 ,  4K030BB12 ,  4K030BB13 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA41 ,  4K030LA11 ,  4K030LA15 ,  5F045AA05 ,  5F045AA06 ,  5F045AA20 ,  5F045AB06 ,  5F045AB07 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF08 ,  5F045BB17 ,  5F045CB06 ,  5F045DC52 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045HA16 ,  5F045HA22
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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