アモルファスカーボン層の堆積方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001042049
Publication number (International publication number)：2002012972
Application date： Feb. 19, 2001
Publication date： Jan. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】アモルファスカーボン膜を用いた集積回路の形成方法。【解決手段】炭化水素化合物と不活性ガスを含む混合ガスを熱分解することにより、アモルファスカーボン層が形成される。このアモルファスカーボン膜は集積回路製造工程に適合している。1つの集積回路製造工程では、アモルファスカーボン膜はハードマスクとして使用される。別の集積回路製造工程では、アモルファスカーボン膜は深紫外線(DUV)リソグラフィのための反射防止膜(ARC)である。さらに別の集積回路製造工程では、多層アモルファスカーボン反射防止膜がDUVリソグラフィのために用いられる。

Claim (excerpt)：

基板上にアモルファスカーボン層を形成する方法であって、堆積チャンバ内に基板を配置するステップと、堆積チャンバへ混合ガスを供給するステップであり、該混合ガスには1つ以上の炭化水素化合物及び不活性ガスを含むステップと、混合ガスを加熱して、混合ガス中の1つ以上の炭化水素化合物を熱分解し、基板上にアモルファスカーボン層を形成するステップとを備える方法。

IPC (4)：

C23C 16/26 , H01L 21/027 , H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (4)：

C23C 16/26 , H01L 21/205 , H01L 21/302 J , H01L 21/30 574

F-Term (43)：

4K030AA09 , 4K030AA10 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA27 , 4K030BB05 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA05 , 4K030JA06 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030JA14 , 4K030JA16 , 4K030LA15 , 5F004AA04 , 5F004DA00 , 5F004DA26 , 5F004DA27 , 5F004DB30 , 5F004EA03 , 5F004EA22 , 5F004EB03 , 5F045AA08 , 5F045AB07 , 5F045AC07 , 5F045AC12 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AF03 , 5F045CB06 , 5F045DA64 , 5F045DA68 , 5F045DP03 , 5F046PA11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-133173 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション, 株式会社東芝
基板上にダイアモンド状カーボン・フィルムを付着する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-296206 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体集積回路装置の微細ホールの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-190034 Applicant：沖電気工業株式会社

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